XO-1とは 意味・読み方・使い方

Further, a p-electrode 10 is formed on the ZnO-based semiconductor layer 6, and n-electrode 9 is formed on the lower side of the Mg_xZn_1-xO substrate 1.例文帳に追加

そして、ＺｎＯ系半導体層６上にはｐ電極１０が、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。 - 特許庁

In such a state, a center position of the alignment mark 10 for calibration is measured by the camera 8 and a probe 1, and distance offset (Xo, Yo) of two of the camera 8 and the probe 1 is determined with high accuracy.例文帳に追加

この状態で、校正用アライメントマーク１０の中心位置を、カメラ８とプローブ１にて測定し、この２つのカメラ８とプローブ９の距離オフセット（Ｘｏ，Ｙｏ）を高精度に求める。 - 特許庁

The semiconductor element has a semiconductor layer 2 mainly composed of Mg_xZn_1-xO (0≤x<1), wherein the content of manganese (Mn) contained as an impurity in the semiconductor layer 2 is 1×10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）を主成分とする半導体層２を備え、半導体層２に含まれる不純物としてのマンガン（Ｍｎ）の濃度が１×１０^16ｃｍ^-3以下である。 - 特許庁

The acceptor-doped Mg_YZnO (0≤Y<1) layer 6 includes at least one acceptor element, and the undoped Mg_XZn_1-XO (0<X<1) layer 5 is formed in contact with the layer.例文帳に追加

アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。 - 特許庁

The ZnO-based substrate is formed so that the OH group on the surface where the crystal of Mg_xZn_1-xO substrate (0≤x<1) is to be grown is substantially nil.例文帳に追加

Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板（０≦Ｘ＜１）の結晶成長を行う側の表面におけるＯＨ基の存在が略０となっているように形成する。 - 特許庁

In the ZnO-based semiconductor element, there are subjected to epitaxial growths ZnO-based semiconductor layers 2-6 on a Mg_xZn_1-xO (0≤x<1) substrate 1 having as its principal plane the plane wherein at least +C-plane (0001) is inclined in m-axis direction.例文帳に追加

＋Ｃ面（０００１）が少なくともｍ軸方向に傾斜した面を主面とするＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ＜１）基板１上に、ＺｎＯ系半導体層２〜６がエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor layers 2-6 are epitaxially grown on the main surface of a substrate 1 which is composed of Mg_xZn_1-xO (0≤x<1), and has a surface A{11-20} or a surface M{10-10} tilted towards -c axis, as the main surface.例文帳に追加

Ａ面｛１１−２０｝またはＭ面｛１０−１０｝が−ｃ軸方向に傾斜した面を主面とするＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）からなる基板１の主面上に、ＺｎＯ系化合物半導体層２〜６がエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).例文帳に追加

発光素子１は、ｐ型クラッド層２、活性層３３及びｎ型クラッド層３４がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつｐ型クラッド層２がｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦１）層からなる。 - 特許庁