XASとは 意味・読み方・使い方

On the semiconductor substrate 1, an Al_xGa_1-xAs layer 3 and the active layer 6 are deposited in this order.例文帳に追加

半導体基板１上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層３と、活性層６とをこの順に堆積する。 - 特許庁

A buffer layer is constituted of the superstructure of AlXGa1-XAs (0≤X≤1), where carrier concentration and a compensation ratio are regulated.例文帳に追加

緩衝層をキャリア濃度と補償比とが規定されたＡｌ_XＧａ_1-XＡｓ（０≦Ｘ≦１）の超格子構造から構成する。 - 特許庁

An n-type AlGaAs clad layer of a first semiconductor laser 39 to be formed previously on an n-type GaAs buffer layer 22 is formed in the double-layer structure of the secondn-type Al_xGa_1-xAs (x = 0.500) clad layer 23 and the first n-type Al_xGa_1-xAs (x = 0.425) clad layer 24.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡsバッファ層２２上に先に形成する第１半導体レーザ３９のｎ型ＡlＧaＡsクラッド層を、第２ｎ型Ａl_xＧa_1-xＡs(ｘ＝０.５００)クラッド層２３と第１ｎ型Ａl_xＧa_1-xＡs(ｘ＝０.４２５)クラッド層２４との２層構造に成す。 - 特許庁

The semiconductor photodetector is provided with an InP substrate 11, an In_xGa_1-xAs buffer layer 12 (0≤x≤1) and a light-receiving layer 13 which is positioned on the In_xGa_1-xAs buffer layer 12 and contains nitrogen.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＰ基板上に位置するＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓバッファ層１２（０≦ｘ≦１）と、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓバッファ層１２上に位置する、窒素を含む化合物半導体の受光層１３とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A refractive index of the p-Al_xGa_1-xAs-ESL 5 is almost equal to refractive indexes of the respective clad layers 2, 4, 7.例文帳に追加

ｐ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ−ＥＳＬ５の屈折率は各クラッド層２、４、７の屈折率とほぼ等しくなっている。 - 特許庁

The refractive index of the p-Al_xGa_1-xAs-ESL5 is almost equal to that of each clad layer 2, 4, and 7.例文帳に追加

ｐ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ−ＥＳＬ５の屈折率は各クラッド層２、４、７の屈折率とほぼ等しくなっている。 - 特許庁

The refractive index of the p-Al_xGa_1-xAs-ESL 5 is almost equivalent to that of each cladding layers 2, 4, and 7.例文帳に追加

ｐ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ−ＥＳＬ５の屈折率は各クラッド層２、４、７の屈折率とほぼ等しくなっている。 - 特許庁

In a carbon-doped AlxGa1-xAs base layer 3 of a heterojunction bipolar transistor, the concentration of carbon-hydrogen bonds is at least 10% that of carbon.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのＣドープＡｌ_xＧａ_1-xＡｓベース層中にＣ濃度の１０％以上のＣ−Ｈ濃度を含ませる。 - 特許庁