ZN-16とは 意味・読み方・使い方

The glass insulating layers 16 to 19 are formed of Si-based, an Si-B-based, an Si-Al-based and an Si-Zn-based glass paste, and it contains at least one type of Ca, Sr, Ba and Mg.例文帳に追加

ガラス絶縁層１６〜１９は、Ｓｉ系、Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｉ−Ａｌ系もしくはＳｉ−Ｚｎ系のガラスペーストからなり，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇのうち少なくとも１種類以上を含む。 - 特許庁

In this metallic net material 10, the metal plate 14 is constituted of steel plate 16 and hot dip plating coat 18 which, including mainly Zn, 3-18% of Al, and 1-5% Mg, plates the top surface and the back side surface of the steel plate 16.例文帳に追加

この金属製網材１０では、金属板１４が、鋼板１６と、Ｚｎを主体とし３〜１８％のＡｌ及び１〜５％のＭｇを含み鋼板１６の表面及び裏面を被覆する溶融めっき層１８とで構成される。 - 特許庁

The wear resistant aluminum alloy 10 for casting comprises, by weight, 14 to 20% Cu, 8.5 to 15% Zn, 5 to 8% Si, and the balance Al with inevitable impurities, and in which the elements are formed into the three structures of an Al-Cu phase (12), an Al-Zn phase (14) and an Si phase (16).例文帳に追加

鋳造用耐摩耗性アルミニウム合金１０は、Ｃｕ：１４〜２０重量％，Ｚｎ：８．５〜１５重量％，Ｓｉ：５〜８重量％，Ａｌ及び不可避不純物：残部を含有し、これらがＡｌ−Ｃｕ相（１２），Ａｌ−Ｚｎ相（１４）およびＳｉ相（１６）の３つの組織に形成された合金である。 - 特許庁

A field-effect transistor has: a gate insulating film 22; an oxide semiconductor layer 14 containing main constituent elements of Sn, Zn, and O, or Sn, Ga, Zn, and O as an active layer; and an oxide intermediate layer 16 arranged between the gate insulating film 22 and the oxide semiconductor layer 14 and having a resistivity higher than that of the oxide semiconductor layer 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２２と、活性層としてＳｎ,Ｚｎ及びＯ、又はＳｎ,Ｇａ,Ｚｎ及びＯを主たる構成元素とする酸化物半導体層１４と、ゲート絶縁膜２２と酸化物半導体層１４との間に配置され、酸化物半導体層１４よりも抵抗率が高い酸化物中間層１６と、を有する。 - 特許庁

A free magnetic layer 16 is a laminate of Co_2MnZ alloy layer 16a (Z is one kind or more of elements including Al, Sn, In, Sb, Ga, Si, Ge, Pb, Zn) and Co_aFe_100-a alloy layer 16b.例文帳に追加

フリー磁性層１６はＣｏ_２ＭｎＺ合金層１６ａ（ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上の元素）とＣｏ_ａＦｅ_１００−ａ合金層１６ｂの積層体である。 - 特許庁

The solder 14 for connecting a board electrode 15 on the circuit board 16 to a terminal electrode 8 of a surface mounting type battery uses a low temperature leadless solder containing an Sn-Zn or Sn-Bi as main components.例文帳に追加

回路基板１６上の基板電極１５と表面実装型電池の端子電極８を接合するはんだ１４にはＳｎ−ＺｎまたはＳｎ−Ｂｉ主成分とする低温無鉛はんだを使用する。 - 特許庁

With regard to the Ni-Zn-based ferrite material having a main component comprising Fe_2O_3, ZnO, CuO and NiO, the core breakage rate can be reduced to ≤30% by adequate addition of ZrO_2 and SiO_2 as the assistant component as samples 12, 14, 15, 16 and 18 shown in Figure.例文帳に追加

主成分がＦｅ_2Ｏ_3，ＺｎＯ，ＣｕＯ，ＮｉＯであるＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料は、副成分にＺｒＯ_2，ＳｉＯ_2を適量に添加することでは、図示した試料１２，１４，１５，１６，１８のように、コア破損率を３０［％］以下に得ることができる。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-Al_xGa_1-xN layer 13, an n-Al_yGa_1-y layer 14, an In_z-Ga_1-zN layer 15, a p-Al_yGa_1-yN layer 16, and a p-GaN layer 17 are layered on a sapphire substrate 11 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層１３、ｎ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１４、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ層１５、ｐ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１６およびｐ−ＧａＮ層１７をこの順に積層する。 - 特許庁