| 意味 | 例文 (480件) |
Ag atとは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「Ag at」の意味 |
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AGAT
| human | 遺伝子名 | AGAT |
| 同義語（エイリアス） | Transamidinase; GATM; AT; L-arginine:glycine amidinotransferase | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P50440 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:2628 | |
| その他のDBのID | HGNC:4175 |
| mouse | 遺伝子名 | Agat |
| 同義語（エイリアス） | MGMT; 6-O-methylguanine-DNA methyltransferase; O-6-methylguanine-DNA-alkyltransferase; AGT; MGC107020; Mgmt; AI267024; Methylated-DNA--protein-cysteine methyltransferase; O-6-methylguanine-DNA methyltransferase | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P26187 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:17314 | |
| その他のDBのID | MGI:96977 |
| rat | 遺伝子名 | Agat |
| 同義語（エイリアス） | AT; Transamidinase; Gatm; L-arginine: glycine amidinotransferase; MGC93388; L-arginine:glycine amidinotransferase | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P50442 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:81660 | |
| その他のDBのID | RGD:71090 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「Ag at」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 480件
To provide a method for manufacturing a Cu-Ag alloy wire for manufacturing an extra-fine Cu-Ag alloy wire at high productivity, and the extra-fine Cu-Ag alloy wire.例文帳に追加
極細のCu-Ag合金線を生産性よく製造できるCu-Ag合金線の製造方法及び極細のCu-Ag合金線を提供する。 - 特許庁
The alloying elements comprise at least one of the group of Cr, Co, Zn, and Ag.例文帳に追加
合金化金属は、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ａｇである。 - 特許庁
At the Mitsukoshi department store in Ginza, Tokyo, boyfriend jeans from Current/Elliott and AG are selling well.発音を聞く 例文帳に追加
東京・銀座にある三(みつ)越(こし)百貨店では，カレントエリオットやAGのボーイフレンドデニムがよく売れている。 - 浜島書店 Catch a Wave
Without having to move the dispense syringe needle 13, the Ag paste adhesive bond 16 is injected at one-time dispensing.例文帳に追加
ディスペンスシリンジニードル１３を移動させないで、１回のディスペンスでAgペースト接着剤１６を射出する。 - 特許庁
It is preferable that the metal film 4 contains at least one selected from a group of Au, Ag, Cu, Pt, Ni, Co, Fe, and Al.例文帳に追加
金属膜４は、Au、Ag,Cu,Pt、Ni、Co、Fe及びAlからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。 - 特許庁
The Ag film 4 comprises a metal which is not oxidized at room temperature in an atmosphere.例文帳に追加
Ａｇ膜４は大気中、室温で酸化されない金属である。 - 特許庁
The strength at the joint boundary is assured in the case of the long- time use at the high temperature and the stability of the structure at the high temperature is assured by slightly adding Ni to Sn-Ag-Bi eutectic system solder.例文帳に追加
Sn−Ag−Bi共晶系はんだにNiを微量添加し、高温で長時間使用した場合の接合界面の強度を確保し、組織の高温での安定性を確保する。 - 特許庁
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「Ag at」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 480件
The metal is at least one kind selected from Ag, Pt, Pd, Au.例文帳に追加
金属は、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕから選択される少なくとも１種である。 - 特許庁
This catalyst is composed by carrying on a carrier formed of a porous oxide, a catalyst metal containing at least Rh, and a promotor comprising at least one selected from Cu, Ag, Au, Zn, Cd and Hg.例文帳に追加
多孔質酸化物よりなる担体に、少なくともRhを含む触媒金属と、Cu、Ag、Au、Zn、Cd及びHgから選ばれる少なくとも一種からなる助触媒金属と、を担持した。 - 特許庁
At the base 10, an Ag-Sn alloy plated layer 4 is further formed on its upper layer.例文帳に追加
ベース１０には更にその上層にＡｇＳｎ合金メッキ層４を形成する。 - 特許庁
The photosensitive paste contains at least one of Ag, Cu and Al.例文帳に追加
また、感光性ペースト中に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのうち少なくとも一つを含んでいる。 - 特許庁
Sn-Zn-containing low melting point PB free solder is used instead of the Sn-Ag-Cu-containing Pb free solder to improve the impact resistance reliability of the solder connections at a low cost.例文帳に追加
Sn-Ag-Cu系はんだの代わりにSn-Zn系低融点Pbフリーはんだを用いることによって低コストで耐衝撃信頼性を向上させる。 - 特許庁
In a preferred embodiment, the Ag-Au alloy is obtained as a melted fine particle of Ag and Au, while heating an Ag powder and an Au powder at a temperature higher than their melting point by a gas atomizing method.例文帳に追加
Ａｇ−Ａｕ合金が、Ａｇ粉末とＡｕ粉末とをガスアトマイズ法により融点以上に加熱することによりＡｇとＡｕとの溶融微粒子として得られた態様が好ましい。 - 特許庁
To provide a piezoelectric compact of ceramic composition having various excellent piezoelectric properties, capable of being fired at a low temperature and capable of being fired with comparatively inexpensive electrode material such as Ag or Ag rich Ag-Pd at the same time.例文帳に追加
優れた圧電諸特性を有すると共に、低温での焼成が可能で、ＡｇまたはＡｇリッチなＡｇ−Ｐｄのような比較的安価な電極材料と同時に焼成できる圧電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁
An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation.例文帳に追加
【解決手段】 Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。 - 特許庁
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