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BTMとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 《略》Business Travel Management（出張関連業務管理）
「BTM」を含む例文一覧
該当件数 : 20件
In step S34, the Bluetooth packet stored temporarily is transferred from a Bluetooth module BTm performing master operation to a low-order device via a memory bus 11.例文帳に追加
ステップＳ３４では、一時記憶されたBluetoothパケットが、メモリバス１１を経由して、マスタ動作するBluetoothモジュールBTmから下位装置へ転送される。 - 特許庁
The testing device 1 has an engine bench BEG and a transmission bench BTM.例文帳に追加
試験装置１は、エンジンベンチＢＥＧとトランスミッションベンチＢＴＭとを具備する。 - 特許庁
An apparatus for performing bus tracing in a memory in a data processing system having a distributed memory comprises a bus tracing macro (BTM) module.例文帳に追加
分散型メモリを有するデータ処理システムにおいてメモリ内バストレーシングを行うための装置を開示する。 - 特許庁
After the BTM module for a tracing operation is enabled, the BTM module snoops transaction on mutual connection and collects information included in the transaction to a data block having a size conforming with a writing buffer in the memory controllers.例文帳に追加
トレーシング動作のためＢＴＭモジュールがイネーブルされた後、ＢＴＭモジュールは相互接続上のトランザクションをスヌープし、これらのトランザクション内に含まれる情報を、メモリコントローラ内の書き込みバッファに一致する大きさのデータブロックにまとめる。 - 特許庁
The insurance provider transmits a transaction monitoring program (BTM) to the user (step 19), and the user installs the program (step 20).例文帳に追加
保険プロバイダはトランザクション監視プログラム（ＢＴＭ）をユーザに送信し（ステップ１９）、ユーザはこれをインストールする（ステップ２０）。 - 特許庁
Trade data (7, 8, 9) on which the user communicates with a customer is monitored (step 21) by BTM, and recorded in a transaction record 6.例文帳に追加
ユーザが取引相手と通信する取引データ（７，８，９）は、ＢＴＭによってモニタされ（ステップ２１）、トランザクション記録６に記録される。 - 特許庁
In a process in which dielectrics constituting the charge storage films CHS are formed on the bottom dielectric film BTM, the dielectric (the first film CHS1) brought into contact with a boundary with at least the bottom dielectric film BTM in the dielectrics is formed by using atomic-layer deposition(ALD).例文帳に追加
電荷蓄積膜ＣＨＳを構成する誘電体をボトム誘電体膜ＢＴＭ上に形成する工程において、その誘電体のうち、少なくとも、ボトム誘電体膜ＢＴＭとの境界に接する誘電体（第１の膜ＣＨＳ１）を原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成する。 - 特許庁
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「BTM」を含む例文一覧
該当件数 : 20件
The nitrogen concentration distribution of the bottom insulation film BTM exposes the semiconductor surface area CH to plasma containing nitrogen atoms, and is obtained by nitriding.例文帳に追加
このようなボトム絶縁膜ＢＴＭの窒素濃度分布は、半導体表面領域ＣＨを窒素原子を含むプラズマに曝し、窒化することにより得られる。 - 特許庁
The bottom insulating film BTM is lower than the barrier height of SiO_2 and Si in its barrier height for a channel forming region and/or has been subjected to the high temperature nitriding process.例文帳に追加
ボトム絶縁膜ＢＴＭは、チャネル形成領域とのバリアハイトがＳｉＯ_２とＳｉとのバリアハイトより低く、及び／又は、高温窒化処理されている。 - 特許庁
The dielectric film GD2 is constituted of a plurality of dielectric films BTM, CHS, TOP, for example, and is a charge accumulation film having charge retaining ability.例文帳に追加
たとえば、この誘電体膜ＧＤ２が、複数の誘電体膜ＢＴＭ，ＣＨＳ，ＴＯＰからなり電荷保持能力を有した電荷蓄積膜である。 - 特許庁
A plurality of the dielectric films GD contain a bottom dielectric film BTM on the semiconductor SUB and charge storage films CHS having charge storage capacity.例文帳に追加
複数の誘電体膜ＧＤが、半導体ＳＵＢ上のボトム誘電体膜ＢＴＭと、電荷蓄積能力を有した電荷蓄積膜ＣＨＳとを含む。 - 特許庁
The nitrogen concentration distribution in the film thickness direction has the maximum value, and the peak is unevenly distributed on the board side from the film thickness center of the bottom insulation film BTM.例文帳に追加
その膜厚方向の窒素濃度分布が極大値を有し、また、そのピークがボトム絶縁膜ＢＴＭの膜厚中心より基板側に偏在する。 - 特許庁
It has a bottom insulation film BTM including an area different in nitrogen concentration in the film thickness direction between the semiconductor surface area CH of the board side and the charge accumulation layer FG.例文帳に追加
基板側の半導体表面領域ＣＨと電荷蓄積層ＦＧとの間に、膜厚方向に窒素濃度が異なる領域を含むボトム絶縁膜ＢＴＭを有する。 - 特許庁
The method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device comprises a step of forming a gate dielectric film having a plurality of dielectric films BTM, CS, and TOP including a charge storage film CS on a surface of a semiconductor CH formed with a channel.例文帳に追加
チャネルが形成される半導体ＣＨ表面に、電荷蓄積膜ＣＳを含む複数の誘電体膜ＢＴＭ，ＣＳ，ＴＯＰからなるゲート誘電体膜を形成する。 - 特許庁
A difference between a BTM-side wafer film thickness and a TOP-side wafer film thickness generated during film formation of the first flow step can be canceled by film formation of the second flow step, so film thicknesses can be made uniform among the wafers.例文帳に追加
第一フローによる成膜により生じたＢＴＭ側ウエハ膜厚とＴＯＰ側ウエハ膜厚との相違を第二フローによる成膜により相殺できるので、ウエハ相互間における膜厚を均一化できる。 - 特許庁
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