BLnとは 意味・読み方・使い方

A memory cell array 11 includes a bit line BL (BLT or BLN) to which a plurality of memory cells 21 are connected.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１は、複数のメモリセル２１が接続されたビット線ＢＬ（ＢＬＴ又はＢＬＮ）を有する。 - 特許庁

Plural bit lines BL1-BLn are connected to a common data line CDL through a bit line selecting circuit 2.例文帳に追加

複数のビット線ＢＬ１〜ＢＬｎはビット線選択回路２を介して共通データ線ＣＤＬに接続される。 - 特許庁

A bit line BLn of left-hand neighbor is grounded, and a voltage of the selection bit line BLn+1 is biased to 4.5 V, and a voltage of the selection word gate WLn is raised to 1.2 V which is slightly higher than a word gate threshold voltage, for controlling a programming current.例文帳に追加

左隣のビット線ＢＬｎは接地され、選択ビット線ＢＬｎ＋１は４．５Ｖにバイアスされ、プログラミング電流を制御するために、選択ワードゲートＷＬｎはワードゲート閾値電圧よりも僅かに高い１．２Ｖに上げられる。 - 特許庁

Activated word lines WL0 are non-activated in proper timing during selection of column selection lines CL0,..., CLN after pairs of bit lines (BL0 and /BL0,..., BLN and /BLN) are differential-amplified to a voltage level of full amplitude.例文帳に追加

活性化されているワード線ＷＬ０は、ビット線対（ＢＬ０と／ＢＬ０、・・・、ＢＬＮと／ＢＬＮ）がフル振幅の電圧レベルにまで差動増幅された後であって、コラム選択線ＣＬ０、・・・、ＣＬＮの選択間の適宜なタイミングで非活性化される。 - 特許庁

When data of '001' is written in memory cells S1-S3 on the same word line WLn, a current is made to flow from one side of a word line WLn and bit lines BLn-1 to BLn+1 to the other side, and '0' is written in M cells S1-S3.例文帳に追加

同一のワード線ＷＬｎ上のメモリセルＳ１〜Ｓ３に’００１’のデータを書き込む場合、ワード線ＷＬｎ、およびビット線ＢＬｎ−１〜ＢＬｎ＋１の一方から他方にかけて電流を流し、メモリセルＳ１〜Ｓ３に’０’をそれぞれ書き込む。 - 特許庁

The ferroelectric memory device 100 comprises: a plurality of bit lines BL1-BLn; a plurality of memory cells MC storing data; a sense amplifier 150; and a positive charge cancellation circuit 190 extracting a positive charge charged to each of the plurality of bit lines BL1-BLn.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置１００は、複数のビット線ＢＬ１〜ＢＬｎと、データを記憶する複数のメモリセルＭＣと、センスアンプ１５０と、複数のビット線ＢＬ１〜ＢＬｎのそれぞれに帯電する正電荷を引き抜く正電荷キャンセル回路１９０とを備える。 - 特許庁

An analog switch 14 inputted with a block control signal BL imparted through block control lines BL1-BLn is successively turned on.例文帳に追加

ブロック制御線ＢＬ１〜ＢＬｎを介して与えられるブロック制御信号ＢＬが入力するアナログスイッチ１４は順次オンとされる。 - 特許庁

This semiconductor memory is provided with a first pre-charge transistor 200 connecting a voltage source to one end side of a bit line when bit lines BLn, /BLn are pre-charged, and a second pre-charge transistor 220 connecting a voltage source to the other end side of a bit line when bit lines are pre-charged.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、ビット線ＢＬｎ，／ＢＬｎをプリチャージする際に電圧源をビット線の一端側に接続する第１のプリチャージトランジスタ２００と、ビット線をプリチャージする際に電圧源をビット線の他端側に接続する第２のプリチャージトランジスタ２２０とを備える。 - 特許庁