C o2とは 意味・読み方・使い方

Since an O2 sensor electromotive voltage V (ordinates axis)/l (abscissas axis) figure shows a gradual slope line characteristic when the O2 sensor element is at 400°C, a value can accurately be computed even in the vicinity of λ=1.例文帳に追加

Ｏ２センサ素子温度が４００℃のときの縦軸にＯ２センサ起電圧を横軸にλを表した線図は、なだらかな特性であるので、λ＝１の近傍の値も正確に算出することができる。 - 特許庁

The film 38 is treated with an O2 plasma at 250°C as a preceding treatment before the layer 40 is patterned.例文帳に追加

配線層２０をパターニングする前の前処理としてＴｉＮ／Ｔｉ積層膜３８に対して２５０℃でＯ_2 プラズマ処理を行う。 - 特許庁

The C-rings 73, 97 attached to a pinion gear 14 and an idling gear 15 of the starter motor 1 are formed in a C-shape having a center O1 of an inner diameter and a center O2 of an outer diameter eccentrically arranged.例文帳に追加

始動電動機１のピニオンギヤ１４やアイドルギヤ１５に取り付けられるＣリング７３,９７は、内径の中心Ｏ１と外径の中心Ｏ２が偏芯配置されたＣ形に形成されている。 - 特許庁

The heat- treatment is performed under the conditions that the partial pressure of O2 gas with respect to O2 atmosphere or partial pressure of N2O gas with respect to N2O atmosphere is 250 Torrs or higher, the temperature is in the range of 350-450°C, and the heat-treatment time is in the range of 60-300 seconds.例文帳に追加

ウエハの熱処理は、Ｏ__2 雰囲気中のＯ_2 ガスの分圧、又はＮ_2 Ｏ雰囲気中のＮ_2 Ｏガスの分圧が２５０Torr以上で、３５０℃以上４５０℃以下の範囲の温度で、かつ６０秒以上３００秒以下の範囲の熱処理時間で行う。 - 特許庁

Using a mixed gas comprising CF4, O2, and Cl2 in an etching chamber 2, a semiconductor substrate 3 where a metal film is formed is etched in a high-temperature process at 100-200°C.例文帳に追加

エッチング室２内においてＣＦ_4 、Ｏ_2 及びＣｌ_2 から構成された混合ガスを用い、金属膜が形成されている半導体基板３のエッチング時の温度を１００〜２００℃の高温プロセスでエッチングする。 - 特許庁

The temperature of a wafer stage holding a wafer having the layer 40 treated with the O2 plasma within a chamber of a plasma treatment device is risen to 340°C to perform a 10 minutes' Ar annealing treatment on the wafer.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバ内でＯ_2 プラズマ処理を施した配線層４０を有するウエハを保持するウエハステージの温度を３４０℃に昇温して、ウエハに１０分間のＡｒアニール処理を施す。 - 特許庁

The gas is the air from which foreign matters having a dew point higher than atmospheric pressure of 5°C or lower are removed, or N2 having a content of CO, CO2, C, O2 of 1 ppm or less, or argon gas.例文帳に追加

前面板は保護膜成膜後から、背面板は蛍光体、フリット焼成から重ね合わせ工程、搬送路を排気工程に至るまで低露点ガス雰囲気下で行うことにより、パネルへの水分の付着を防止し、排気時間を短縮させ、かつ放電異常を防止する。 - 特許庁

An out-of-axis photographing beam passing an out-of-axis focus detection area C set up on the outside of the axis of a photographing optical system is deflected to the optical axis O2 side of the focus detecting optical system by a condenser lens part 24b.例文帳に追加

撮影光学系の軸外に設定された軸外焦点検出領域Ｃを通過する軸外撮影光束は、コンデンサレンズ部２４ｂにより焦点検出光学系の光軸Ｏ２側へ偏向される。 - 特許庁