C-tuningとは 意味・読み方・使い方

The gas barrier film has a polypropylene film having a tuning molecular chain with a structure of -O-Si-Oas the major skeleton which has been introduced into the carbons (C) present in the surface through the above oxygen (-O-), and a SiOx thin film formed on the surface of this tuning molecular chain-introduced polypropylene film and bonded to the above tuning molecular chain at the interface of the above film.例文帳に追加

表面の炭素（Ｃ）に主骨格が−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−の構造を持つチューニング分子鎖を前記酸素(−Ｏ−)を介して導入されたポリプロピレンフィルムと、このポリプロピレンフィルムのチューニング分子鎖が導入された表面に形成され、前記フィルムとの界面で前記チューニング分子鎖と結合されたＳｉＯ_x薄膜とを備えたことを特徴とする - 特許庁

To provide sheet type heat treatment equipment activating the surface temperature of an SiC wafer at 1,600°C and being capable of temperature tuning in a wafer surface.例文帳に追加

ＳｉＣウエハの表面温度を１６００℃にて活性化し、且つウエハ面内の温度チューニングを行う事が可能な枚葉型熱処理装置の提供を目的とする。 - 特許庁

Before start of orientation control, an automatic tuning section 18 computes the acceleration of the rotor and determines a gain C of a position controller 15 based on the maximum value of the absolute value of the acceleration.例文帳に追加

オートチューニング部１８は、オリエンテーション制御の前に、回転子の加速度を算出し、加速度の絶対値の最大値に基づいて位置制御器１５のゲインＣを決定する。 - 特許庁

In the frequency multiplier, inductor patterns 38a-38c,..., 41a-41c configuring tuning inductors for a turning circuit of a class C amplifier circuit are respectively formed on a surface of an insulation sheet 31.例文帳に追加

絶縁性シート３１の表面に、Ｃ級増幅回路の同調回路の同調用インダクタを構成するインダクタパターン３８ａ〜３８ｃ，…，４１ａ〜４１ｃをそれぞれ形成する。 - 特許庁

Thus, an LC resonance circuit is formed from a primary side input winding wire N1, a primary side tuning winding wire N2 and the secondary side winding wire N3 of the antenna-tuning transformer T1 and a variable capacitor C and a trap circuit with respect to image frequencies is formed.例文帳に追加

これにより、アンテナ同調トランスＴ１の１次側入力巻線Ｎ１、１次側同調巻線Ｎ２、２次側巻線Ｎ３と可変容量素子ＣによるＬＣ共振回路を形成すると共に、イメージ周波数に対するトラップ回路を形成する。 - 特許庁

A fabricating method comprises steps of (a) providing the substrate, (b) forming a tuning layer which is within a specific thickness range and tunes magnetic property of the recording medium, on the substrate, (c) forming the buffer layer on the tuning layer, and (d) forming the recording layer on the buffer layer.例文帳に追加

製法は、（ａ）基板を提供するステップと、（ｂ）基板上に特定厚さ範囲を具備して記録媒体の磁気性質を同調する同調層を形成するステップと、（ｃ）同調層上に緩衝層を形成するステップと、（ｄ）緩衝層上に記録層を形成するステップとを備えてなる。 - 特許庁

An antenna tuning transformer T1 consists of a primary winding N1, a secondary winding N2, and a coupling winding N21, and a variable capacitive element C is connected in parallel with the winding N2 to form a primary resonance circuit.例文帳に追加

アンテナ同調トランスＴ１は、１次、２次巻線Ｎ、およびＮ２、結合巻線Ｎ２１で構成し、Ｎ２と並列に可変容量素子Ｃを接続して一次共振回路を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method, p-type high resistance wafer obtained through CZ method is employed to effect heating treatment for the purpose of oxygen outward diffusion of 1-5 hours at 1,100-1,250°C in a tuning atmosphere.例文帳に追加

製造方法はＣＺ法によるｐ型の高抵抗ウェーハを用い、調整雰囲気中にて１１００〜１２５０℃で１〜５時間の酸素外方拡散を目的とした加熱処理をおこなう。 - 特許庁