COP-1とは 意味・読み方・使い方

It is judged that it is not the crystal originated COP when a COP distribution is judged as not a ring state or a disk state with the following procedure 1-procedure 3.例文帳に追加

下記の手順１〜手順３によりＣＯＰの分布がリング状またはディスク状ではないと判定した場合は、結晶起因のＣＯＰではないとする。 - 特許庁

The procedure 1: The object is a wafer wherein a number of entire COP is below the minimum value (for example 100).例文帳に追加

手順１：全面のＣＯＰの個数が下限値（例えば１００個）以下のウェーハを対象とする。 - 特許庁

COP of the entire system by every prescribed unit time (t) is calculated by using the measured values and calculated values on the basis of a formula (1).例文帳に追加

これらの計測値及び演算値を用いて、所定の単位時間（ｔ）ごとのシステム全体のＣＯＰが（１）式に基づいて演算される。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W has a silicon single crystal substrate 1 having the COP in the main surface 11 and a silicon epitaxial layer 2 grown in a vapor phase on the main surface 11 of the silicon single crystal substrate 1.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、主表面１１にＣＯＰを有するシリコン単結晶基板１と、該シリコン単結晶基板１の主表面１１に気相成長されたシリコンエピタキシャル層２とを備えている。 - 特許庁

To adjust a capacity ratio of a compressor (1) in which a plurality of compression mechanisms (20, 30) are mechanically connected by one drive shaft and enable optimal COP operation, in a refrigerating device performing a refrigerating cycle of two-stage compression.例文帳に追加

二段圧縮の冷凍サイクルを行う冷凍装置において、複数の圧縮機構（20，30）が１本の駆動軸で機械的に連結された圧縮機（1）の容積比を調整できるようにし、ひいては最適ＣＯＰの運転を可能にする。 - 特許庁

The procedure 3: When the disk region is divided in the plurality of fan shapes (for example, 4), and the COP number is less than the set value (for example, 1) in at least one fan shape region, it is judged as not the disk state.例文帳に追加

手順３：ディスク領域を複数個（例えば４個）の扇形に分割し、少なくとも１つの扇形領域においてＣＯＰの個数が設定値（例えば１個）未満である場合は、ディスク状ではないとする。 - 特許庁

When the Peltier element is driven by PWM, as the PWM frequency is made higher within a saturated frequency Fs (e.g. 1 kHz) or less, a higher COP can be obtained as long as there is no inconvenience in terms of cost and noise.例文帳に追加

ペルチェ素子をＰＷＭ駆動する際には、価格や雑音の不都合がない限り、飽和周波数Ｆｓ（例：１ｋＨｚ）以下の範囲でＰＷＭ周波数を高くするほど、より高いＣＯＰが得られる。 - 特許庁

The oxygen ion-implanted silicon substrate has preferably a void defect or COP crystal defect density of ≥1×10^5 cm^-3, and a maximum frequency of ≤0.12 μm in the crystal defect size distribution.例文帳に追加

酸素イオンが注入されるシリコン基板は、ボイド欠陥又はＣＯＰからなる結晶欠陥密度が１×１０^5ｃｍ^-3以上でありかつ結晶欠陥のサイズ分布の最大頻度が０．１２μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁