意味 | 例文 (16件) |
EB2とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「EB2」の意味 |
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EB2
fly | 遺伝子名 | EB2 |
同義語(エイリアス) | ||
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | --- | |
その他のDBのID | FlyBase:FBgn0083248 |
human | 遺伝子名 | EB2 |
同義語(エイリアス) | MAPRE2; End-binding protein 2; APC-binding protein EB2 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q15555 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:10982 | |
その他のDBのID | HGNC:6891 |
mouse | 遺伝子名 | EB2 |
同義語(エイリアス) | D18Abb1e; C820009F03Rik; End-binding protein 2; Mapre2; AI314113; APC-binding protein EB2 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q8R001 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:212307 | |
その他のDBのID | MGI:106271 |
mouse | 遺伝子名 | EB2 |
同義語(エイリアス) | End-binding protein 3; Mapre3; EBF3; EB3; RP3; EB1 protein family member 3; AI790651 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q6PER3 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:100732 | |
その他のDBのID | MGI:2140967 |
本文中に表示されているデータベースの説明
- SWISS-PROT
- スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
- EntrezGene
- NCBIによって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
- FlyBase
- 米英の大学のショウジョウバエの研究者などにより運営される、ショウジョウバエの生態や遺伝子情報に関するデータベース。
- HGNC
- HUGO遺伝子命名法委員会により運営される、ヒト遺伝子に関するデータベース。
- MGI
- 様々なプロジェクトによる、研究用マウスの遺伝的・生物学的なデータを提供するデータベース。
「EB2」を含む例文一覧
該当件数 : 16件
The high resistance section Rb connects the first end section Eb1 and the second end section Eb2.例文帳に追加
高抵抗部Rbは第1端部Eb1および第2端部Eb2を繋いでいる。 - 特許庁
The degree of focusing of the electron beam EB2 by the objective lens 17 is controlled by an objective lens controller 20.例文帳に追加
この対物レンズ17による電子ビームEB2の集束の度合いは、対物レンズ制御器20によって制御されている。 - 特許庁
A second electric wiring Wb2 is made of a second metal and has a second end Eb2 opposing to the first end Eb1 with a space between the ends.例文帳に追加
第2電気配線Wb2は、第1端部Eb1と間隔を空けて対向する第2端部Eb2を有し、第2金属からなる。 - 特許庁
A second electrical wiring Wb2, having a second end section Eb2 opposed via a space to the first end section Eb1, is made of a second metal.例文帳に追加
第2電気配線Wb2は、第1端部Eb1と間隔を空けて対向する第2端部Eb2を有し、第2金属からなる。 - 特許庁
An electron beam EB2, which is generated by an electron gun 16 of the auxiliary electronic irradiation device 15 and is accelerated is focused on a sample 2 by an objective lens 17.例文帳に追加
補助電子照射器15の電子銃16から発生し加速された電子ビームEB2は、対物レンズ17によって試料2上に集束される。 - 特許庁
Most of a forward scattering electron e2 of the measuring beam EB1 and a forward scattering electron e2' of a dummy beam EB2 are shielded.例文帳に追加
ビーム制限開口5によって、計測用矩形ビームEB1の前方散乱電子e2とダミービームEB2の前方散乱電子e2´のほとんどは遮られる。 - 特許庁
The face information EB2 of a person to be authenticated is generated on the basis of continuously inputted face images EA2 of the person to be authenticated, the face information EB2 is used to generate an individual model GM2 about the face of the person to be authenticated, and the percentage completion of the model showing the reliability of the face information FB2 is calculated.例文帳に追加
連続的に入力される認証対象者の顔画像EA2に基づいて認証対象者の顔情報EB2を生成し、当該顔情報EB2を用いて認証対象者の顔に関する個別モデルGM2を作成するとともに、当該顔情報EB2の信頼性を示すモデル完成度を算出する。 - 特許庁
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「EB2」を含む例文一覧
該当件数 : 16件
In addition, the electron beam EB2 radiated by the electron gun 16 is deflected by a blanking electrode 18, as necessary, and radiation to the sample 2 is shielded by a limiting diaphragm 19.例文帳に追加
また、電子銃16から放射される電子ビームEB2は、ブランキング電極18によって必要時に偏向され、制限絞り19によって試料2への照射が遮蔽される。 - 特許庁
A high resistance section Rb, disposed between the first end section Eb1 and the second end section Eb2, is made of a material whose specific resistance is higher than those of the first and the second metal.例文帳に追加
高抵抗部Rbは、第1端部Eb1と第2端部Eb2との間に設けられ、第1金属および第2金属の各々の抵抗率よりも高い抵抗率を有する材料からなる。 - 特許庁
A low melting point metal section LM is made of a metal whose melting point is lower than those of the first and the second metal, and electrically connects the first end section Eb1 and the second end section Eb2.例文帳に追加
低融点金属部LMは、第1金属および第2金属の各々の融点よりも低い融点を有する金属からなり、第1端部Eb1および第2端部Eb2を電気的に接続している。 - 特許庁
A signal processing part 35 determines the wavelength variation characteristics of the light X emergent from the optical device 1 on the basis of output signals Ea1-Eb2 of light receivers 24-27 which have received the plurality of lights.例文帳に追加
信号処理部35は、複数の光を受けた受光器24〜27の出力信号Ea1〜Eb2に基づいて、光デバイス1から出射される光Xの波長変化特性を求める。 - 特許庁
On a semiconductor substrate 1S, a memory gate electrode MG is formed via a laminate insulating film comprising a first potential barrier film EB1, a charge storage film EC, and a second potential barrier film EB2.例文帳に追加
半導体基板1S上に、第1電位障壁膜EB1と電荷蓄積膜ECと第2電位障壁膜EB2からなる積層絶縁膜を介してメモリゲート電極MGが形成されている。 - 特許庁
The high resistance portions Rb1 and Rb2 are provided between the first end Eb1 and the second end Eb2 and made of a material having a higher resistivity than the resistivity of each of the first and second metals.例文帳に追加
高抵抗部Rb1,Rb2は、第1端部Eb1と第2端部Eb2との間に設けられ、第1金属および第2金属の各々の抵抗率よりも高い抵抗率を有する材料からなる。 - 特許庁
A low melting point metal portion LM is made of a metal of a lower melting point than the melting point of each of the first and second metals and electrically connects the first end Eb1 and the second end Eb2 with each other.例文帳に追加
低融点金属部LMは、第1金属および第2金属の各々の融点よりも低い融点を有する金属からなり、第1端部Eb1および第2端部Eb2を互いに電気的に接続している。 - 特許庁
Auxiliary braking force corresponding to advancement of engagement of the automatic clutch is generated based on engine brake force Eb2 after speed change presumed at step S208 (S222) at engagement driving of the automatic clutch ("YES" at S218).例文帳に追加
更に自動クラッチの係合駆動時には(S218で「YES」)、ステップS208にて推定された変速後エンジンブレーキ力Eb2に基づいて自動クラッチの係合の進行に応じた補助制動力を発生させる(S222)。 - 特許庁
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