Electron beam ion sourceとは 意味・読み方・使い方

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction in the ion source 100, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with an ion source to generate an ion beam 4, an electron beam source G to emit an electron beam two-dimensionally scanned in the ion source 2, a power supply 14 for it, an ion beam monitor 10 to measure the two-dimensional beam current distribution of the ion beam 4 at a position equivalent to the substrate, and a control device 12.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。 - 特許庁

This photoemission electron microscope is equipped with an ion source or an electron beam source for marking by irradiating a focused ion beam or an electron beam to a part close to an observation portion on the sample surface.例文帳に追加

収束イオンビームまたは電子ビームを試料表面の観察部位の直近に照射してマーキングするためのイオン源または電子線源を備えたことを特徴とする光電子顕微鏡。 - 特許庁

An electron source is positioned on the surface of the wafer for an oxygen ion beam to be irradiated and outside a line of the ion beam, so that an electron beam is irradiated thereon by the same amount as an ion beam current value or less, with electron energy set at 50 eV or more.例文帳に追加

酸素イオンビームが照射されるウエハ面側に有ってイオンビームライン外に電子源を設置し、イオンビーム電流値と同量、それ以下の電子ビームを照射し、電子エネルギーが５０ｅＶ以上である。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction to generate plasma 12, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current density distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、Ｙ方向に走査される電子ビーム１３８を放出してプラズマ１２４を生成する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

This ion milling device is provided with an ion beam source radiating ion beams to the specimen, an acceleration electrode accelerating ions of the ion beam source and functioning as a secondary electron suppressor, and an ion beam current measurement apparatus measuring electric current of the ion beams, and the acceleration electrode is installed between the specimen and the ion beam source.例文帳に追加

本発明は、試料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、前記イオンビーム源のイオンを加速させるとともに二次電子サプレッサとして機能する加速電極と、前記イオンビームの電流を測定するイオンビーム電流測定器とを備え、前記試料と前記イオンビーム源との間に前記加速電極を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The ion beam radiator is equipped with a field-emission electron source 10 which is provided near the path of ion beam 2 to emit electrons 12.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２の経路の近傍に設けられていて電子１２を放出する電界放出型電子源１０を備えている。 - 特許庁