F. A. Dryとは 意味・読み方・使い方

Further, the SiO_2 layer 22 is dry-etched using a gas containing a fluorocarbon-based gas having a high C/F ratio, so that the through via 31 penetrates the SiO_2 layer 22.例文帳に追加

さらに、高C/F比のフルオロカーボン系ガスを含むガスを使用したドライエッチングによりSiO_2層２２をエッチングし、それによって貫通ビア３１がSiO_2層２２を貫通する。 - 特許庁

Advantageously, the matrix has a glass transition temperature of at least 250°F dry, the resin has a pre-hardening mixed viscosity of 500-1500 cP at 75°F, and the composite material has, upon hardening, an interlaminar shear strength of at least 6.5 ksi dry at 75°F and at least 3.5 ksi dry at 250°F.例文帳に追加

有利なことには、マトリックスは、乾燥状態で少なくとも２５０°Ｆのガラス転移温度を有し、樹脂は、７５°Ｆにおいて５００〜１５００ｃＰの予硬化混合粘性を有し、複合材料は、硬化時に、７５°Ｆにおいて乾燥状態で少なくとも６．５ｋｓｉ、および２５０°Ｆにおいて乾燥状態で少なくとも３．５ｋｓｉの層間剪断強度を有する。 - 特許庁

The method for recording characteristically includes a first dry process to evaporate 50 to 85 wt.% of ink injected on the medium (F) to be recorded and a second dry process to be conducted at a lower side of the feeding direction of the medium (F) to be recorded than the first dry process.例文帳に追加

インクが噴射された被記録媒体（Ｆ）に対してインクを５０〜８５重量％蒸発させる第１乾燥工程と、該第１乾燥工程より被記録媒体の送り方向下流側で行う第２乾燥工程と、を行うことを特徴とする。 - 特許庁

A photomask substrate 11 has, on one principal face, a metal film as a light shielding layer 12 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) but can be etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) and by fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

フォトマスク基板１１の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系ドライエッチング）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系ドライエッチング）およびフッ素系ドライエッチング（Ｆ系ドライエッチング）でエッチングが可能な金属膜が遮光層１２として備えられている。 - 特許庁

The second light-shieldable film 14 is a film that mainly comprises a silicon-containing compound and that can be etched by F-based dry etching.例文帳に追加

また、第２の遮光性膜１４はＦ系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする膜である。 - 特許庁

Further, the substrate has, on the above light shielding layer 12, a metal compound film as an antireflection layer 13 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) but can be etched by at least one of chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) and fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

そしてこの遮光層１２の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系）あるいはフッ素系ドライエッチング（Ｆ系）の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層１３として備えられている。 - 特許庁

In a part of a plate member 200, the material for a semiconductor package, which is to be formed with a cavity, a film-holding section 203 for holding a dry film F is formed.例文帳に追加

半導体パッケージの材料となる板部材２００のキャビティが形成される位置にはドライフィルムＦを保持するためのフィルム保持部２０３が形成される。 - 特許庁