Form N-1Aとは 意味・読み方・使い方

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

For example, the button 1a comprises a first base seat comprising magnetic material and having a first recess, and an N-pole magnet of such a form that can be engaged in the first recess.例文帳に追加

例えば、ボタン１ａは、磁性体からなり、かつ、第一の凹部を有する第一の台座と、第一の凹部に嵌合し得る形状を有し、Ｎ極の磁石とからなる。 - 特許庁

A filter coefficient calculation means 1a and multiple zero point processing means 71-70+N-1 calculate filter coefficients to form zero points of frequency characteristic for the estimated value.例文帳に追加

フィルタ係数計算手段１ａ及び多重零点処理手段７１〜７０+Ｎ−１は、推定値に対して、周波数特性の零点を形成するようにフィルタ係数を計算する。 - 特許庁

First, an n^--GaN layer 11 and a p-GaN layer 12 are stacked on an n-GaN substrate 10, and a surface of the p-GaN layer 12 is exposed to chlorine-based plasma along with a substrate with Ni deposited thereon to form a plasma-damaged layer 13 (fig. 1a).例文帳に追加

まず、ｎ−ＧａＮ基板１０上にｎ^- −ＧａＮ層１１、ｐ−ＧａＮ層１２を積層し、ｐ−ＧａＮ層１２表面をＮｉを堆積した基板とともに塩素系プラズマに曝し、プラズマ損傷層１３を形成する（図１ａ）。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

In short, GaN doped with n-type impurity such as Si, and GaN doped with p-type impurity such as InGaN and Mg, are sequentially epitaxial-grown on the recess 1a to form an n-type clad layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 for a high efficient and high output light emission region 2a.例文帳に追加

すなわち、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｍｇ等のｐ型不純物がドープされたＧａＮを凹陥部１ａ上に順次エピタキシャル成長させ、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を形成し、高効率かつ高出力な発光領域２ａを得る。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element includes the steps of dissolving silver to an electrolyte containing hydrogen fluoride; and contacting an n-type single crystal silicon substrate 1 with the electrolyte, into which silver is dissolved to form a rugged shape 1a onto the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 without the need for power application.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、ｎ型単結晶シリコン基板１を接触させることにより、通電を行うことなく、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に凹凸形状１ａを形成する工程とを備えている。 - 特許庁