G chとは 意味・読み方・使い方

The epoxy compound is 1,1,1,1-tetra(2,3- diglycidylpropyloxymethyl)methane of formula: C[CH_2O-CH_2-CH(OG)-CH_2(OG)]_4 (G indicates a glycidyl group).例文帳に追加

本発明のエポキシ化合物は、C[CH_2O-CH_2-CH(OG)-CH_2(OG)]_4で表される1,1,1,1-テトラ（2,3-ジグリシジルプロピルオキシメチル）メタンである。 - 特許庁

On the other hand, they sequentially multiplex an image signal read from G pixels to an active region corresponding to a Y ch in HD-SDI to generate a G ch.例文帳に追加

一方、Ｇ画素から読出された画像信号を順にＨＤ−ＳＤＩにおけるＹｃｈ相当のアクティブ領域に多重してＧｃｈを生成する。 - 特許庁

The transistor for driving T2 has a channel area CH arranged between a pair of current ends, a gate electrode G superposed on the channel area CH through an insulating film 51, so as to be a control end, and a shield 54 larger than the gate electrode G and shielding the channel area CH from light.例文帳に追加

駆動用トランジスタＴ２は、一対の電流端の間に配されたチャネル領域ＣＨと、絶縁膜５１を介してチャネル領域ＣＨに重なって制御端となるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇより大きくチャネル領域ＣＨを遮光するシールド５４とを有する。 - 特許庁

The gate electrode G is arranged to overlap the boundary 3, and a part of the semiconductor thin film 1 overlapping the gate electrode G is used for a channel region CH.例文帳に追加

ゲート電極Ｇは、境界３にかかる様に配されており、ゲート電極Ｇに重なる半導体薄膜１の部分がチャネル領域ＣＨになる。 - 特許庁

Then, an 8B/10B encoder performs 8B/10B-encoding of the active regions on the B/R ch and the G ch having data structures corresponding to the HD-SDI and an auxiliary data region including SAV, EAV, LN and CRCC.例文帳に追加

そして、８Ｂ／１０Ｂエンコーダは、ＨＤ−ＳＤＩ相当のデータ構造としたＢ／Ｒｃｈ及びＧｃｈにおけるアクティブ領域並びにＳＡＶ，ＥＡＶ，ＬＮ，ＣＲＣＣを含めた補助データ領域を８Ｂ／１０Ｂエンコーディングする。 - 特許庁

+ [CH=CH_2]≤48 x [η]^0.60 [wherein^ [COOH] represents concentration of a carboxy terminal group (equivalent/10^6 g), [CH=CH_2] represents concentration of a vinyl terminal group (equivalent/10^6 g) and [η] represents intrinsic viscosity of polybutyleneterephthalate resin, respectively].例文帳に追加

１５×［η］^０．９５≦［ＣＯＯＨ］＋［ＣＨ＝ＣＨ_２］≦４８×［η］^０．６０ （１）（式中、［ＣＯＯＨ］はポリブチレンテレフタレート系樹脂のカルボキシル末端基濃度（当量／１０^６ｇ）を、［ＣＨ＝ＣＨ_２］はポリブチレンテレフタレート系樹脂のビニル末端基濃度（当量／１０^６ｇ）を示す。また、［η］はポリブチレンテレフタレート系樹脂の固有粘度を示す。） - 特許庁

A circuit for backup, which leads to ground G from between a high-voltage portion V and a P-ch MOSFET (Pup or Pdw), branches, and a capacitor C for backup is provided in the circuit for backup.例文帳に追加

高電圧部ＶとＰｕｐ、Ｐｄｗとの間からグランドＧに至るバックアップ用回路を分岐して該バックアップ用回路にバックアップ用のコンデンサＣを設ける。 - 特許庁