GANPとは 意味・読み方・使い方

Instead of the GaP layers, the GaNP layer may be formed by laminating GaAs layers and the GaN layers.例文帳に追加

ＧａＰ層のかわりにＧａＡｓをＧａＮ層と積層してＧａＮＰ層を形成してもよい。 - 特許庁

To provide a good quality GaN based light emitting element having an active layer of GaNP or GaNAs and its manufacturing method.例文帳に追加

ＧａＮＰやＧａＮＡｓを活性層とした良質なＧａＮ系発光素子およびその作成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high quality GaN-based light-emitting element, in which a GaNP layer or a GaNAs layer is used as an active layer and to provide its formation method.例文帳に追加

ＧａＮＰやＧａＮＡｓを活性層とした良質なＧａＮ系発光素子およびその作成方法を提供すること。 - 特許庁

P atoms of the GaNP layer are selectively incorporated at dislocation positions to terminate the dislocation there and reduce the dislocation density of the GaN layer.例文帳に追加

ＧａＮＰ層のＰ原子が転位の位置に選択的に取り込まれて、転位をそこで終端させ、ＧａＮ層の転位密度を低減させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaNP mixed crystal film which does not require special device constitution, which is excellent in crystallinity, and which has a steep hetero interface.例文帳に追加

特別な装置構成を必要とせず、結晶性に優れ、かつ、急峻なヘテロ界面を有するＧａＮＰ混晶膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a quantum well layer (MQW: multiple quantum well) 14 composed of GaN and GaNP, and a GaN layer 16, are made to grow on a board 10 in increasing order.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁

Phosphorus (P) ions are implanted into a p-type GaN layer 14 formed on an n-type GaN layer 13 which is then heated to form a GaNP layer 15 serving as an active layer.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１３上に積層されたｐ型ＧａＮ層１４中にＰをイオン注入し、その後加熱することによって、活性層となるＧａＮＰ層１５を形成する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a multiple quantum well (MQW) layer 14 consisting of GaN and GaNP, and a GaN layer 16 are sequentially grown on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁