GAS3とは意味・読み方・使い方

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遺伝子名称シソーラスでの「GAS3」の意味

GAS3

human	遺伝子名	GAS3
	同義語（エイリアス）	peripheral myelin protein 22; GAS-3; CMT1E; Peripheral myelin protein 22; CMT1A; PMP-22; MGC20769; HMSNIA; HNPP; PMP22; Sp110
	SWISS-PROTのID	SWISS-PROT:Q01453
	EntrezGeneのID	EntrezGene:5376
	その他のDBのID	HGNC:9118

mouse	遺伝子名	GAS3
	同義語（エイリアス）	Peripheral myelin protein 22; PMP-22; Tr; Growth-arrest-specific protein 3; HNPP; Pmp-22; Gas-3; peripheral myelin protein; Pmp22; trembler
	SWISS-PROTのID	SWISS-PROT:P16646
	EntrezGeneのID	EntrezGene:18858
	その他のDBのID	MGI:97631

rat	遺伝子名	Gas-3
	同義語（エイリアス）	peripheral myelin protein 22; CD25 protein; SAG; Peripheral myelin protein; Schwann cell membrane glycoprotein; Peripheral myelin protein 22; Cd25; PMP-22; SR13 myelin protein; Pmp-22; Pmp22
	SWISS-PROTのID	SWISS-PROT:P25094
	EntrezGeneのID	EntrezGene:24660
	その他のDBのID	RGD:3359

yeast	遺伝子名	GAS3
	同義語（エイリアス）	Glycolipid-anchored surface protein 3 precursor; YMR215W; YM8261.09
	SWISS-PROTのID	SWISS-PROT:Q03655
	EntrezGeneのID	EntrezGene:855255
	その他のDBのID	SGD:S000004828

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT: スイスバイオインフォマティクス研究所と欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発・運営されているタンパク質のアミノ酸配列のデータベース。
EntrezGene: NCBI によって運営されている遺伝子データベース。染色体上の位置、配列、発現、構造、機能、ホモロジーデータなどが含まれている。
HGNC: HUGO 遺伝子命名法委員会により運営される、ヒト遺伝子に関するデータベース。
MGI: 様々なプロジェクトによる、研究用マウスの遺伝的・生物学的なデータを提供するデータベース。
RGD: ウィスコンシン医科大学により運営される、ラットの遺伝子・ゲノム情報のデータベース。
SGD: スタンフォード大学医学部内で運営されている、出芽酵母の一種のSaccharomyces cerevisiaeの生態や遺伝子情報に関するデータベース。

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「GAS3」を含む例文一覧

該当件数 : 5件

例文

The GAS3 is the gas including carbon atom, for instance, C_2H_2.例文帳に追加

ＧＡＳ３はカーボン原子を含むガス、例えばＣ_2Ｈ_2である。 - 特許庁

The gas GAS3 includes silicon atoms and is, for example, Si_2H_6.例文帳に追加

ＧＡＳ３はシリコン原子を含み、例えばＳｉ２Ｈ６である。 - 特許庁

The processing gases GAS1 to GAS3 are used in the step of processing the wafers 200.例文帳に追加

ウェハ２００を処理する工程では、処理ガスＧＡＳ１〜ＧＡＳ３を用いる。 - 特許庁

The wafers 200 are processed by supplying a plurality processing gases GAS1 to GAS3 from gas introducing tubes 241a to 241c into the processing chamber 201.例文帳に追加

ガス導入管２４１ａ〜２４１ｃから処理室２０１内に複数種の処理ガスＧＡＳ１〜ＧＡＳ３を供給してウェハ２００を処理する。 - 特許庁

例文

A first silicon film including phosphorus atoms is formed on wafers 200 by supplying at least gasses GAS1 and GAS2 to the wafers 200, and then, the reaction chamber is set to a lower temperature and a second silicon film including no impurity atoms or having an impurity concentration lower than that of the first silicon film is formed on at least the first silicon film by supplying at least the gas GAS3.例文帳に追加

ウェーハ２００に対して少なくともＧＡＳ１とＧＡＳ２とを供給して、ウェーハ２００にリン原子を含む第一シリコン膜を成膜し、その後、反応室を低温化させ、少なくともＧＡＳ３を供給して、少なくとも第一シリコン膜上に不純物原子を含まないか、または第一シリコン膜よりも不純物濃度が低い第二シリコン膜を成膜する。 - 特許庁

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