GaAs diodesとは 意味・読み方・使い方

The diodes 12, 16 are the ones integrally formed with the Schottky gate HFET and are constituted as Schottky barrier diodes comprising an n+ GaAs cap layer formed on a GaAs substrate and a Schottky electrode formed on the n+ GaAs cap layer.例文帳に追加

ダイオード１２、１６は、ショットキーゲートＨＦＥＴと一体的に形成されたダイオードであって、ＧａＡｓ基板上に成膜されたｎ^^+ −ＧａＡｓキャップ層と、ｎ^+ −ＧａＡｓキャップ層上に形成されたショットキー電極とからなるショットキーバリア・ダイオードとして構成されている。 - 特許庁

The microwave band voltage control oscillator for controlling an oscillation frequency by varactor diodes includes the varactor diode circuit having a plurality of series connection circuits in each of which the varactor diode is connected to a capacitor in series and connecting the plurality of series connection circuits in parallel, and the varactor diodes include at least one of a GaAs hyper abrupt type varactor diode and a Si abrupt type varactor diode.例文帳に追加

バラクタダイオードにより発振周波数を制御するマイクロ波帯電圧制御発振器であって、前記バラクタダイオードと容量とが直列に接続された直列接続回路を複数備え、該直列接続回路が複数並列に接続されたバラクタダイオード回路と、前記バラクタダイオードが、GaAsのHyper Abrupt型のバラクタダイオードおよびSiのAbrupt型のバラクタダイオードを少なくとも１つ以上含む。 - 特許庁

With this setup, a coupling capacitance produced between the signal line 110 and the lowermost N-type GaAs layers 131a and 131b of the PIN diodes 130a and 130b and ground wirings 134a and 134b connected to them is reduced to an irreducible minimum.例文帳に追加

これにより、ＰＩＮ型ダイオード１３０ａ，ｂの最下層のＮ型ＧａＡｓ層１３１ａ、ｂおよびそれに接続されたグラント配線１３４ａ，１３４ｂと信号線路１１０の対向による結合容量が最小化される。 - 特許庁