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GaInAsPとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ひ化りん化インジウムガリウム
「GaInAsP」を含む例文一覧
該当件数 : 22件
A thin-film lamination structure including a GaInAsP-based crystal layer is formed on the etching stop layer 9.例文帳に追加
このエッチングストップ層９の上に、GaInAsP 系結晶層を含む薄膜積層構造を形成する。 - 特許庁
As a result, a plurality of semiconductor element parts comprising GaInAsP-group crystal layers 2 and 4 as an active layer are formed on the substrate.例文帳に追加
これにより、活性層としてGaInAsP 系結晶層２，４を有する複数の半導体素子部を基板１上に形成する。 - 特許庁
A compound semiconductor layer 6 is formed as the foundation layer of the conductive layer 7.例文帳に追加
化合物半導体層６は、二元系（InP、InAs）、三元系（AlInAs、AlInP、AlGaP、AlGaAs、GaInAs、GaInP）、四元系（AlInAsP、AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP、GaInAsP）、又は五元系（AlGaInAsP）からなる。 - 特許庁
An n-type InP clad layer 2, a GaInAsP active layer 3, a p-type InP clad layer 4, and a p-type GaInAsP cap layer 11 are grown on an n-type InP substrate 1 doped with sulfur in turn.例文帳に追加
イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。 - 特許庁
Stimulation is caused in a direction orthogonal to the guide direction of the signal light by embedding n-GaInAsP current block layers 504 to both sides of a GaInAsP active layer 502 formed on an n-InP substrate 501 and forming n-InP embedded layers 510 arranged in a direction orthogonal to the GaInAsP active layers 502 at a prescribed interval to the n-GaInAsP current block layers 504.例文帳に追加
ｎ−ＩｎＰ基板５０１上に形成されたＧａＩｎＡｓＰ活性層５０２の両側をｎ−ＧａＩｎＡｓＰ電流ブロック層５０４で埋め込むとともに、ＧａＩｎＡｓＰ活性層５０２と直交する方向に所定間隔で配列されたｎ−ＩｎＰ埋め込み層５１０をｎ−ＧａＩｎＡｓＰ電流ブロック層５０４に形成することにより、信号光の導波方向と直交する方向で発振が起こるようにする。 - 特許庁
The well layer and barrier layer of the MQW structure 2 are respectively constituted of GaInAsP whose compositions are different.例文帳に追加
ＭＱＷ構造２の井戸層及び障壁層はそれぞれ組成の異なるＧａＩｎＡｓＰによって構成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an optical semiconductor device which improves a photo-coupling efficiency of waveguide path layers in the manufacturing method of an optical semiconductor device in which a plurality of active layers of semiconductor elements (GaInAsP-based crystal layers) formed on a semiconductor substrate are connected to one another by the waveguide path layers.例文帳に追加
半導体基板上に形成された複数の半導体素子の活性層（GaInAsP 系結晶層）同士が導波路層で接続されている光半導体装置の製造方法において、導波路層による光結合効率を高くすることのできる方法を提供する。 - 特許庁
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「GaInAsP」を含む例文一覧
該当件数 : 22件
By providing the window layer of GaInAsP, the light absorption at the edge face can be reduced while the COD level can be improved greatly.例文帳に追加
ＧａＩｎＡｓＰ材料による窓層を設けたことにより、端面での光吸収が低減し、ＣＯＤレベルが飛躍的に向上した。 - 特許庁
A clad layer has a grating coefficient between GaAs and GaP, and a window layer made of GaInAsP is provided at an edge face of a resonator.例文帳に追加
クラッド層がＧａＡｓとＧａＰの間の格子定数を有しており、共振器端面にＧａＩｎＡｓＰ材料よりなる窓層が設けられている。 - 特許庁
Absorption rarely happens to the wavelength around 1550 nm of the oscillation wavelength by forming a diffraction grating with GaInAsP whose λg is about 1510 nm.例文帳に追加
λ_g が約１５１０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰで回折格子を形成することにより、発振波長の１５５０ｎｍ付近の波長に対しては、殆ど吸収が起らない。 - 特許庁
By forming the diffraction grating of GaInAsP having λ_g of approximately 1,510 nm, absorption hardly takes place at the oscillation wavelength close to 1,550 nm.例文帳に追加
λ_ｇ が約１５１０ｎｍのＧａＩｎＡｓＰで回折格子を形成することにより、発振波長の１５５０ｎｍ付近の波長に対しては、殆ど吸収が起らない。 - 特許庁
The main part of the waveguide 20 is laminated structure consisting of an InP layer 22, an AlInAs layer 23 having 100 nm thickness, a GaInAsP layer 24, an AlInAs layer having 50 nm thickness, a GaInAsP layer 26, an AlInAs layer 27 having 100 nm thickness, and an InP layer 28 and formed on the InP substrate as a ridge 30.例文帳に追加
本半導体光導波路２０の要部は、ＩｎＰ基板２１上に形成され、ＩｎＰ層２２、厚さ１００ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２３、ＧａＩｎＡｓＰ層２４、厚さ５０ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２５、ＧａＩｎＡｓＰ層２６、厚さ１００ｎｍのＡｌＩｎＡｓ層２７、及び、ＩｎＰ層２８の積層構造であって、リッジ３０として形成されている。 - 特許庁
Furthermore, a p-InP clad layer 6, a p-GaInAsP contact layer 7 and a p-side electrode 10 are provided and an n-side electrode 11 is provided on the rear surface of the n-InP substrate 1.例文帳に追加
さらに、ｐ−ＩｎＰクラッド層６、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層７、ｐ側電極１０が配置され、ｎ−ＩｎＰ基板１の裏面にはｎ側電極１１が配置されている。 - 特許庁
A composition of the III group (Ga and In) of a GaInAsN well layer 12 in a quantum well structure is set to be substantially equal to that of the group III of a GaInAsP barrier layer 11.例文帳に追加
量子井戸構造中のＧａＩｎＡｓＮ井戸層１２のＩＩＩ族（ＧａとＩｎ）組成とＧａＩｎＡｓＰ障壁層１１のＩＩＩ族組成が、ほぼ等しくなるように設定する。 - 特許庁
An active layer includes a first active layer 1 containing AlGaInAs and a second active layer 2 that is located closer to an output side of an optical signal than to the first active layer 1 and contains GaInAsP.例文帳に追加
活性層には、ＡｌＧａＩｎＡｓを含有する第１の活性層１と、第１の活性層１よりも光信号の出力側に位置し、ＧａＩｎＡｓＰを含有する第２の活性層２と、が設けられている。 - 特許庁
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ひ化りん化インジウムガリウム
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