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Gate Valueの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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Gate Valueとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「Gate Value」の意味

Gate Value

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「Gate Value」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 842



例文

The gate resistance B is set to a lower resistance value than that of the gate resistance A.例文帳に追加

ゲート抵抗Aの抵抗値に対してゲート抵抗Bの抵抗値を小さくする。 - 特許庁

An adjustment circuit 20 adjusts the resistance value of the gate resistance of the transistor gate 30 based on the current value of the negative gate currents Ig(-) of the transistor 30.例文帳に追加

調整回路20は、トランジスタ30の負のゲート電流Ig(-)の電流値に基づいて、トランジスタ30のゲート抵抗の抵抗値を調整する。 - 特許庁

A gate generation part 53 sets a gate based on a difference absolute value between a value of a pixel of a noticing frame and a value of a pixel of a frame of the background image.例文帳に追加

ゲート生成部53は、注目フレームの画素の値と、背景画像のフレームの画素の値との差分絶対値に基づいてゲートを設定する。 - 特許庁

The addition capacity value of a fringe capacity value and a gate overlapping capacity value between a plurality of MISFET sharing gate source drains is deviated from the analysis of the difference of the differentiation value.例文帳に追加

そして、上記微分値の差の分析から複数のMISFET共通のゲート−ソース・ドレイン間のフリンジ容量値とゲートオーバラップ容量値の和容量値を導出する。 - 特許庁

A gate drive signal output from a gate pulse generation circuit (21) is output to a sense gate terminal Gs and a main gate terminal Gm and an input end of an MPU (24) via each correction resistor of a gate resistance value correction circuit 1 (22) and a gate resistance value correction circuit 2 (23).例文帳に追加

ゲートパルス発生回路(21)から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1(22)及びゲート抵抗値補正回路2(23)の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。 - 特許庁

As a result, the gate 50 stops in the position corresponding to the gate stopping target opening value (Step S207).例文帳に追加

この結果、ゲート50は、ゲート停止目標開度値に対応する位置で停止する(ステップS207)。 - 特許庁

例文

ULTRASONIC IMAGE AND CALIBRATION OF GATE-CONTROLLED POSITION MEASUREMENT VALUE例文帳に追加

超音波画像およびゲート制御された位置測定値の較正 - 特許庁

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「Gate Value」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 842



例文

In addition, the gate length dependency of the capacity between the gate source drains is deviated at prescribed gate voltage, the overlapping length ΔL is calculated from the addition capacity value on the basis of the gate length dependency of the capacity, and the fringe capacity value and the gate overlapping capacity value are found.例文帳に追加

また、所定のゲート電圧でのゲート−ソース・ドレイン間の容量のゲート長依存性を導出し、上記容量のゲート長依存性に基づいて上記和容量値からオーバラップ長ΔLを算出し、上記フリンジ容量値、ゲートオーバラップ容量値を求める。 - 特許庁

The other-side ends of the gate resistor R1 and R2 are connected with a control circuit 6, and the resistance value of the gate resistor R2 is higher than the resistance value of the gate resistor R1.例文帳に追加

ゲート抵抗R1,R2の他端は、制御回路6に接続され、ゲート抵抗R2の抵抗値がゲート抵抗R1の抵抗値に比べて大きくなっている。 - 特許庁

Then the timing pulse is transmitted to a gate G13 and the obtained signal value is stored in a signal value memory 3.例文帳に追加

そして、ゲートG13にタイミングパルスを送り、得られた信号値を信号値メモリ3に格納する。 - 特許庁

When the voltage value of the gate terminal 2 reaches V_1, I_2 is supplied to the gate terminal 2 in addition to I_1.例文帳に追加

ゲート端子2の電圧値がV_1に達すると、I_1に加えてI_2をゲート端子2に供給する。 - 特許庁

A resistance value of the gate electrode in a place near the gate pad is higher than that in a place far from the gate pad.例文帳に追加

そして、該ゲート電極の抵抗値は、該ゲートパッドから近い場所の方が、該ゲートパッドから遠い場所よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁

The gate driver comprises a means for measuring the gate current flowing through a gate resistor or a means for integrating the gate current, and a means for comparing it with a normal value range, and a means for transmitting a signal to a gate drive circuit.例文帳に追加

ゲート抵抗に流れるゲート電流を測定する手段、あるいはゲート電流を積分する手段を設け、正常値範囲と比較し、ゲート駆動回路に信号を伝達する手段を設ける。 - 特許庁

The digital synchronization system is provided with a gate circuit that outputs the zero cross signal, by using a gate signal and controlling the gate phase of the gate signal with an integrated value of the gate outputs, can generate a synchronizing signal by minimizing the integrated value.例文帳に追加

この零クロス信号をゲート信号でゲート出力するゲート回路を設け、このゲート出力の積算値で前記ゲート信号のゲート位相を制御して積算値が極小値になるようにして同期信号を生成するようにしたものである。 - 特許庁

例文

To adjust a threshold value of a complementary transistor having a gate stack structure of a high dielectric constant gate insulating film and a metal gate electrode using a simple procedure.例文帳に追加

簡易な手順で、高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極とのゲートスタック構造を有する相補型トランジスタの閾値を調整する。 - 特許庁

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