Ge-1とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「Ge-1」の意味 |
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「Ge-1」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 120件
Kanetsugu NAOE, Jugoi no ge (1583 (Tensho 1)~)発音を聞く 例文帳に追加
直江兼続従五位下(天正11年(1583年)~) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Yoriyuki TOKI, Jugoi no ge (October 28, 1624 (Kanei 1) ~)発音を聞く 例文帳に追加
土岐頼行従五位下(寛永元年(1624年)10月28日~) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Preferably, a molar ratio (Ti:Zn+Ge) of titanium (Ti) to zinc and germanium (Zn+Ge) are 1:3 to 3:1.例文帳に追加
チタン(Ti)と、亜鉛及びゲルマニウム(Zn+Ge)のモル比(Ti:Zn+Ge)が、1:3〜3:1であることが好ましい。 - 特許庁
Consisting of two volumes notes, "Jo (vol. 1)," and "Ge (vol. 2)," it is also referred to as "Nikan-sho" (literally, two volumes of notes).発音を聞く 例文帳に追加
上下2巻からなるため『二巻鈔』ともいう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
January 7, 1367 - conferred Jugoi no ge.発音を聞く 例文帳に追加
1367年1月7日(正平21年/貞治5年12月7日(旧暦))、従五位下に叙す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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「Ge-1」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 120件
This metal complex dendrimer is expressed by the general formula (wherein, M is a metal selected from Al, Zn, Be, Ge and Mg; R_1, R_2 are each H or a 1-8C alkyl, and may be the same or different; and X is a halogen).例文帳に追加
一般式(Mは、Al,Zn,Be,Ge,Ge,Mgから選ばれる金属、R_1及びR_2はH又はC1〜8のアルキル基、R_1及びR_2は同じでも異なっても良く、Xはハロゲン。)で示される。 - 特許庁
In the first popularity vote on ghosts held by the tourist association of Sakaiminato City (Mizuki's hometown), Tottori Prefecture, Ittan-momen won first place; for details about its character in the comic book, please refer to the article of "Ittan-momen" (Ge Ge Ge no Kitaro).発音を聞く 例文帳に追加
水木の出身地・鳥取県境港市の観光協会による「第1回妖怪人気投票」では1位に選ばれた(『鬼太郎』でのキャラクターについては一反木綿(ゲゲゲの鬼太郎)を参照)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
On the twenty seventh day of the tenth month of 770, Oi was promoted from Shorokuinojo to Ge-jugoinoge.発音を聞く 例文帳に追加
宝亀元年(770年)10月1日に、正六位上から外従五位下に進んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加
化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁
A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加
Si(100)基板1上にGe薄膜を形成し、熱処理を施して、SiとGeとを含有する固相混合層12を形成する。 - 特許庁
The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).例文帳に追加
Si及びGeの双方を除く元素AとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材100と、元素AとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材101とで構成される構造体。 - 特許庁
The ≥1 kind selected from Bi, Zn, Cu and Ge may be further incorporated into the brazing filler metal.例文帳に追加
ろう材には更にBi,Zn,Cu,Geの内から選択した1種類以上を含有しても良い。 - 特許庁
In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.例文帳に追加
式中、AはSi、Ge、Ti、Zr、AlまたはGaであり、xは1〜6である。 - 特許庁
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