HFETとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING HFET COMPOSED OF GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体からなるＨＦＥＴの製造方法 - 特許庁

Consequently, a buffer leakage current of the HFET 10 is suppressed.例文帳に追加

そのため、ＨＦＥＴ１０はバッファリーク電流が抑制された構造である。 - 特許庁

HFET MADE OF GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体で構成されたＨＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

To increase the reliability of an HFET (Hetero structure Field Effect Transistor) or a Schottky diode using a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いたＨＦＥＴまたはショットキーダイオードにおける信頼性を高める。 - 特許庁

To form a III nitride heterojunction field-effect transistor (HFET) having a recess structure.例文帳に追加

リセス構造を有する III族窒化物系ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）を形成する。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 is a large element formed by forming a plurality of GaN-based HFET 10 on a silicon (111) substrate 1 and connecting electrodes of each of the GaN-based HFET 10 to each other via a multilayer wiring.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイス２０は、シリコン（１１１）基板１上に、複数のＧａＮ系HFET１０を形成し、各ＧａＮ系HFET１０の電極同士を多層配線で連結して作製された大素子である。 - 特許庁

To achieve normally ON type and normally OFF type nitride semiconductor heterostructure field effect transistors (HFET) of current collapse free and a high breakdown voltage, and to achieve the latter especially in the HFET.例文帳に追加

窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）において、電流コラプスフリーで、かつ高耐圧の、ノーマリーオン型およびノーマリーオフ型のＨＦＥＴを実現することであり、特に後者を実現すること。 - 特許庁

To obtain a HFET with high surge resistance by protecting the gate of the HFET using a nitride semiconductor from a surge voltage without forming a protection circuit outside and a complicated manufacturing processes.例文帳に追加

外部に保護回路を形成することなく、また製造工程を複雑にすることなく窒化物半導体を用いたＨＦＥＴのゲートをサージ電圧から保護し、サージ耐性が高いＨＦＥＴを実現できるようにする。 - 特許庁