Hbrとは 意味・読み方・使い方

The etching used to form the second recess 37A is isotropic etching and uses a mixture gas of SF_6/O_2/Cl_2/HBr as an etching gas.例文帳に追加

第２リセス３７Ａを形成するエッチングは等方性エッチングであり、エッチングガスには、ＳＦ_６／Ｏ_２／Ｃｌ_２／ＨＢｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

A trench 37 is formed on a silicon substrate 21 using a first mixed gas composed of HBr gas, O_2 gas and NF_3 gas as an etching gas.例文帳に追加

ＨＢｒガス、Ｏ_２ガス及びＮＦ_３ガスからなる第１の混合ガスをエッチングガスとして、トレンチ３７をシリコン基板２１に形成する。 - 特許庁

The main etching process is performed from the state shown in Fig. 1 (a) using a gas including at least HBr as an etching gas under a first pressure of <13 Pa.例文帳に追加

図１（ａ）に示す状態から、エッチングガスとして、少なくともＨＢｒを含むガスを用い、１３Ｐａ未満の第１の圧力で、メインエッチング工程を行う。 - 特許庁

Accordingly, HCl, HBr or the like can be removed in 0.1 ppm or less, and trace amounts of chlorobenzene and chlorophenol can be analyzed with high signal intensity.例文帳に追加

ＨＣｌ，ＨＢｒを０.１ppm以下に除去することができ、微量のクロロベンゼン類及びクロロフェノール類を高い信号強度で分析することができる。 - 特許庁

A lateral bar HBr after the longitudinal line VLp is, for example, a pink lateral line and shows that the label is displayed from the present to the future.例文帳に追加

縦線ＶＬp以降の横棒ＨＢrは例えばピンク色の横線となされており、当該ラベルが現在から未来まで表示されることを表す。 - 特許庁

HF, HBr or HI, optical band gap of the amorphous silicon thin film is not higher than 2.0 eV and the peak strength ratio I(SiH_2)/I(SiH) between the SiH_2 bond and SiH bond of an obtained amorphous silicon thin film may be lower than 0.2.例文帳に追加

得られる非晶質シリコン薄膜のＳｉＨ_２結合とＳｉＨ結合とのピーク強度比Ｉ（ＳｉＨ_２）／Ｉ（ＳｉＨ）が０．２未満であってもよい。 - 特許庁

A polysilicon layer made on a thin SiO2 layer is plasma-etched, using a chemical reaction based on HBr/HeO2, via a patterned SiO2 cap layer.例文帳に追加

薄いＳｉＯ_2層の上に形成されたポリシリコン層を、パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して、ＨＢｒ／ＨｅＯ_2ベースの化学反応を用いてプラズマ・エッチングする。 - 特許庁

Prior to the analysis of chlorophenol or chlorobenzene, a measuring gas is cooled to concentrate the steam, and HCl, HBr or the like is dissolved in the concentrated water and removed.例文帳に追加

クロロフェノールあるいはクロロベンゼンを分析する前に、被測定ガスを冷却して水蒸気を凝縮し、凝縮水中にＨＣｌ，ＨＢｒ等を溶解させて除去する。 - 特許庁