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He ionsとは 意味・読み方・使い方
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「He ions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
A correction electrode 18 is provided in a position with ions such as C_mH_n ions heavier than He ions applied thereto.例文帳に追加
Ｃ_ｍＨ_ｎイオンなどのＨｅイオンより重たいイオンが照射される位置に補正電極１８を設ける。 - 特許庁
In the ion implantation process (S1), He^+ ions are implanted into a single-crystal base material 1 of the piezoelectric material.例文帳に追加
イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe^+イオンを注入する。 - 特許庁
This makes it possible to prevent the deflection track A of the He ions from being deformed.例文帳に追加
これにより、Ｈｅイオンの偏向軌道Ａの歪を抑制できる。 - 特許庁
He ions emitted from a conductive tip 186 as an ion source are irradiated to a sample 180.例文帳に追加
イオン源の導電性先端１８６から放出されたＨｅイオンは、試料１８０に照射される。 - 特許庁
Thereby, the player playing the game facing the slot machine 1 inhales the air containing the minus ions every time he/she breathes.例文帳に追加
遊技者は、スロットマシン１に対面して遊技を行うため、呼吸の度にマイナスイオンを含んだ空気を吸い込むことになる。 - 特許庁
After H ions and He ions are implanted into a silicon substrate with acceleration energy of 5-40 keV, temperature of the silicon substrate is raised to about 500°C and then O ions are implanted with acceleration energy of 30-180 keV thus forming an ion implantation layer 2.例文帳に追加
シリコン基板にＨイオン又はＨｅイオンを、加速エネルギが５ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ未満で注入した後、該シリコン基板を略５００℃に昇温し、それにＯイオンを、加速エネルギが３０ｋｅＶ以上１８０ｋｅＶ以下で注入し、イオン注入層２を形成する。 - 特許庁
The He ions are given so that the depth of the p^+ diffusion area 23 may be the irradiation half-value width of the He ion or more, the peak position of the He ion may be deeper than the irradiation half-value width of the He ion, and the peak position may range 80-120% of the depth of the p^+ diffusion area 23.例文帳に追加
Ｈｅイオンの照射時には、ｐ^+拡散領域２３の深さがＨｅイオンの照射半値幅以上となり、Ｈｅイオンのピーク位置がＨｅイオンの照射半値幅よりも深く、かつｐ^+拡散領域２３の深さの８０〜１２０％の範囲になるようにする。 - 特許庁
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「He ions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
An ionization chamber 32 disposed in a vacuum chamber 31 of an MS part 30 is provided with an exhaust aperture, and He introduced into the ionization chamber 32 and He^* generated in the ionization chamber 32 are discharged in the direction different from the taking-out direction of signal ions, by utilizing a pressure difference generated by a vacuum pump 38 connected to the exhaust aperture.例文帳に追加
MS部３０の真空チャンバ３１内に配設されたイオン化室３２に排気用開口を設け、該排気用開口に接続された真空ポンプ３８によって生じる圧力差を利用して、イオン化室３２に導入されたHe及びイオン化室３２内で発生したHe^*を信号イオンの取り出し方向とは異なる方向に排出する。 - 特許庁
In this case, the detectors are to be placed at the position of the sample 180, and electrical field emission patters of He ions emitted from the conductive tip 186 are to be observed with the detectors.例文帳に追加
この場合には前記試料１８０の場所に検出器を配置し、該検出器により前記導電性先端１８６から放出されるＨｅイオンの電界放出パターンを観察する。 - 特許庁
The sauna apparatus generates the negative ions and far-infrared rays, so that when a user lies on a panel board, he/she gradually receives warm heat from the back to cause perspiration with an aid of humidity in air.例文帳に追加
マイナスイオン・遠赤外線等を発生させ、又パネル板に寝そべる事に依り背中より除々に温熱を受け空気中の湿度の助けを借り人体に発汗作用を起させるサウナ装置。 - 特許庁
When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar^+ and He^+, which are rare gas element ions, for about two hours.例文帳に追加
エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ^+及びＨｅ^+を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。 - 特許庁
He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip.例文帳に追加
チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁
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