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ISFET sensorとは 意味・読み方・使い方
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「ISFET sensor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
ISFET SENSOR例文帳に追加
ＩＳＦＥＴセンサ - 特許庁
pH SENSOR COMPRISING ISFET AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
ＩＳＦＥＴからなるｐＨセンサー及びその製造方法 - 特許庁
To provide an ion sensor wherein a plasticized polyvinyl chloride often used for a sensitive film matrix part which is the central part of an ion- sensitive field effect transistor (ISFET), which is an ion sensor, has higher durability than film material.例文帳に追加
イオンセンサーであるイオン感応性電界効果型トランジスタ(ISFET)の心臓部である感応膜マトリックス部分に多く使われる可塑化ポリ塩化ビニルが膜材料よりも耐久性を有するイオンセンサーを提供する。 - 特許庁
This field effect type sensor includes a plurality of ion sensitive field effect transistors (ISFET) 101, and a material fixing part 102 provided in common on each ISFET 101, to which a material adheres, which is a detection object capacity-connected to each channel of the ISFET 101.例文帳に追加
複数のイオン感応型電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０１および各ＩＳＦＥＴ１０１に共通に設けられてＩＳＦＥＴ１０１の各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部１０２を備える。 - 特許庁
The pH sensor is composed of ISFET, wherein the surface of a diamond semiconductor of high quality is terminated by hydrogen, and a reference electrode.例文帳に追加
高品質ダイヤモンド半導体表面を水素終端させたＩＳＦＥＴと参照電極からなるｐＨセンサー。 - 特許庁
To detect more accurately an aiming material by an ISFET type field effect type sensor, even in a noise existing environment.例文帳に追加
ノイズが存在する環境においても、ＩＳＦＥＴ型の電界効果型センサにより目的とする物質をより正確に検出できるようにする。 - 特許庁
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「ISFET sensor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
The field effect type sensor is also equipped with a gate voltage application part 103 for applying a gate voltage which is common to each ISFET 101 to the back gate 11, and a detection part 104 for detecting a current between the source 112 and the drain 113 of each ISFET 101.例文帳に追加
また、本実施の形態における電界効果型センサは、ＩＳＦＥＴ１０１の各々に共通のゲート電圧をバックゲート１１に印加するゲート電圧印加部１０３、および，ＩＳＦＥＴ１０１の各々のソース１１２とドレイン１１３との間電流を検出する検出部１０４を備える。 - 特許庁
The ion sensor is comprises an ion responsive field effect transistor (ISFET) 10, having a gate electrode for taking out the back gate photocurrent Ibp generated in between a back gate B and a source S and between the back gate B and the drain D, and photocurrents Isp and Idp generated in the source S or the drain D are corrected by using the back gate photocurrent Ibp.例文帳に追加
バックゲートＢとソースＳとの間、およびバックゲートＢとドレインＤとの間に発生するバックゲート光電流Ｉｂｐを取り出すためのゲート電極Ｇを持つイオン感応性電界効果トタンジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０よりなるイオンセンサであって、バックゲート光電流Ｉｂｐを用いて、ソースＳやドレインＤにおいて発生する光電流Ｉｓｐ，Ｉｄｐを補正することを特徴とする。 - 特許庁
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ISFETセンサー
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