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該当件数 : 3件
To provide a transistor with a built-in diode enabling a sufficient high-speed switching while suppressing an Ieb leakage.例文帳に追加
Ｉｅｂリークを抑えながら十分な高速スイッチングが可能なダイオード内蔵トランジスタを提供する。 - 特許庁
The base width 9 of the parasitic PNP-Tr 5 is set in a width in an extent that the Ieb leakage of the NPN-Tr 5 is not increased.例文帳に追加
寄生ＰＮＰ-Ｔｒ５のベース幅９は、ＮＰＮ-Ｔｒ５のＩｅｂリークが大きくならない程度の幅に設定される。 - 特許庁
The increase of a switching speed is realized by the parasitic PNP-Tr 5 and the speed-up diode (SUD) 22, and the increase of the Ieb leakage can be prevented by obviating the excessive reduction of the base width 9 of the parasitic PNP-Tr 5.例文帳に追加
寄生ＰＮＰ-Ｔｒ５とスピードアップダイオード（ＳＵＤ）２２とにより、スイッチング速度の高速化が実現され、寄生ＰＮＰ-Ｔｒ５のベース幅９を小さくしすぎないことによりＩｅｂリークが大きくなることを防ぐことができる。 - 特許庁
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