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MOSFET surfaceとは 意味・読み方・使い方
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「MOSFET surface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 106件
To provide a thin body MOSFET with conducting surface channel extension portions and gate-controlled channel sidewalls.例文帳に追加
導電表面チャネル伸長部分とゲート制御チャネル側壁を有する薄体MOSFETを提供する。 - 特許庁
Then, the sources (23 and 33) and drains (24 and 34) of the MOSFET are formed, and the entire surface of the wafer is covered with a silicon oxide film 42 and planarized by CMP.例文帳に追加
そして、MOSFETのソース(23,33) およびドレイン(24,34) を形成し、ウエハ全面を酸化シリコン膜42で覆い、CMP により平坦化する。 - 特許庁
A semiconductor die package including a semiconductor die 108 comprising a first surface, a second surface, and a vertical power MOSFET having a gate region and a source region at the first surface and a drain region at the second surface.例文帳に追加
半導体ダイパッケージは第１表面、第２表面、及び第１表面にゲート領域とソース領域とを有し第２表面にドレイン領域を有する垂直パワーMOSFETを備えた半導体ダイ108を含んでいる。 - 特許庁
To improve the characteristics of a surface channel MOSFET whose threshold voltage is higher than that of the other surface channel MOSFET in a semiconductor device equipped with surface channel MOSFETs which are different from each other in threshold voltage.例文帳に追加
しきい値電圧が異なる複数の表面チャネル型ＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置において、しきい値電圧が高い方の表面チャネル型ＭＯＳＦＥＴの特性を向上する。 - 特許庁
A strap electrode board 13 is arranged on the entire surface of the chip of a power MOSFET.例文帳に追加
ストラップ電極板１３はパワーＭＯＳＦＥＴのチップの全面に配置されている。 - 特許庁
A strap electrode board 13 is arranged on the overall surface of the chip of a power MOSFET.例文帳に追加
ストラップ電極板１３はパワーＭＯＳＦＥＴのチップの全面に配置されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can improve characteristics, such as reliability, gate leak current, noise characteristics of an MOSFET provided on a surface azimuth other than (100) and actualize an MOSFET with respective proper characteristics on various surface azimuths.例文帳に追加
本発明は、さまざまな面方位上に形成されるＭＯＳＦＥＴを、それぞれ良好な特性を有して実現できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁
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「MOSFET surface」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 106件
To provide an MOSFET semiconductor device in which the side- surface oxide film of a gate electrode is constant.例文帳に追加
ゲート電極の側面酸化膜が均一なＭＯＳＦＥＴ半導体装置を提供する。 - 特許庁
An MOSFET region is formed on the surface of a silicon substrate 18, and a central section in the MOSFET region is removed by etching to a prescribed depth.例文帳に追加
シリコン基板１８の表面上にＭＯＳＦＥＴ領域を形成し、ＭＯＳＦＥＴ領域の中央区域を所定の深さにまでエッチングによって除去する。 - 特許庁
The rear surface of the semiconductor chip 1 is used as a drain of the MOSFET and fixed to a frame radiating section 2-1.例文帳に追加
半導体チップ１の裏面は、ＭＯＳＦＥＴのドレインとなり、フレーム放熱部２−１に固着される。 - 特許庁
A ceramics substrate 2 is jointed to a surface of a base plate 1 while an MOSFET 4 is mounted on the surface of the ceramics substrate 2.例文帳に追加
ベースプレート１の表面にセラミックス基板２を接合すると共に、セラミックス基板２の表面にＭＯＳＦＥＴ４を実装する。 - 特許庁
Thus, the side surface of the terminal insertion hole is brought into contact with the terminal of the MOSFET and a plurality of contact parts 25 and 26, so that the ferrite core can be prevented from dropping out from the MOSFET and the mounting workability of the MOSFET to a circuit board can be improved as a result.例文帳に追加
これにより、端子挿通孔の側面がＭＯＳＦＥＴの端子と複数個所の当接部２５、２６で当接し、フェライトコアのＭＯＳＦＥＴからの脱落が防止され、ＭＯＳＦＥＴの回路基板への実装作業性が向上される。 - 特許庁
In the semiconductor device, a p-type MOSFET 25 and an n-type MOSFET 26 are respectively formed in an n-type well region 17 and a p-type well region 18 provided on the surface of a silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板１表面のｎ型ウェル領域１７及びｐ型ウェル領域１８にはそれぞれｐ型ＭＯＳＦＥＴ２５及びｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６が形成されている。 - 特許庁
A semiconductor device is equipped with a first surface channel MOSFET where the absolute value of its threshold voltage is relatively small, and a second surface channel MOSFET where the absolute value of its threshold voltage is relatively large.例文帳に追加
半導体装置は、しきい値電圧の絶対値が相対的に小さい第１の表面チャネル型ＭＯＳＦＥＴと、しきい値電圧の絶対値が相対的に大きい第２の表面チャネル型ＭＯＳＦＥＴとを備えている。 - 特許庁
The MOSFET is a lateral device and electric contact is established with respect to a source from the back of an element by a conductive plug which passes through the layer from the surface of the active layer and exists in the substrate.例文帳に追加
MOSFETは横型デバイスであり、活性層の表面から層を貫通して基板中に延在している導電性プラグによって、素子の裏側からソースに対して電気的接触が確立される。 - 特許庁
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MOSFET表面
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