MREsとは 意味・読み方・使い方

A pair of MREs 12 and 13 constituting the first MRE bridge 10 form a first V-shaped pattern together, and a pair of MREs 14 and 15 constituting the second MRE bridge form a V-shaped pattern inverted by 180° to the first V-shaped pattern with the direction orthogonal to the center line 4a of the IC chip 4 as the axis.例文帳に追加

第１のＭＲＥブリッジ１０を構成する一対のＭＲＥ１２、１３は、互いに第１のハの字状パターンを形成しており、第２のＭＲＥブリッジ１２を構成する一対のＭＲＥ１４、１５は、第１のハの字状パターンに対してＩＣチップ４の中心線４ａに直交する方向を軸として１８０°反転したハの字状パターンを形成している。 - 特許庁

As a result, it becomes possible to perform high-accuracy detection of the rotation movement of a rotor 20 and detection of its rotation direction, from the electric signals representing the resistance changes by the individual MREs 34.例文帳に追加

このため、各々のＭＲＥ３４による抵抗変化を示す電気信号から、ロータ２０の回転運動を高精度に検出したり、回転方向を検出したりすることが可能になる。 - 特許庁

Preferably, temperature in the cylinder Tcyl and effective process volume Vstr in the intake valve closing period IVC are detected in addition to them to reflect in the calculation of the internal EGR amount MRES.例文帳に追加

好ましくは、これらに加え、吸気弁閉時期ＩＶＣにおける筒内温度Ｔｃｙｌ及び有効行程容積Ｖｓｔｒを検出し、内部ＥＧＲ量ＭＲＥＳの算出に反映させる。 - 特許庁

Two MRE bridges 10 and 11 are arranged so that MREs 12 and 14 on power source side are in symmetric positions with the central line 4a of an IC chip 4 as the axis of symmetry.例文帳に追加

２つのＭＲＥブリッジ１０、１１は、電源側のＭＲＥ１２、１４同士と接地側のＭＲＥ１３、１５同士が、それぞれＩＣチップ４の中心線４ａを対称軸として対称位置に配置される。 - 特許庁

At least pressure in a cylinder Pcyl and amount of suction air Qair are detected as a condition in the cylinder in an intake valve closing period IVC to calculate internal EGR amount MRES based on the detected pressure in the cylinder Pcyl.例文帳に追加

吸気弁閉時期ＩＶＣにおける筒内の状態として、少なくとも筒内圧力Ｐｃｙｌ及び吸入空気量Ｑａｉｒを検出し、検出した筒内圧力Ｐｃｙｌ等をもとに、内部ＥＧＲ量ＭＲＥＳを算出する。 - 特許庁

On a substrate 30, a plurality of magnetoresistive elements (MRE) 34 are formed so as to be mutually parallel, and moreover wiring patterns 35, 36 and terminals 37, 38 for independently acquiring electric signals representing resistance changes in the individual MREs 34 are formed.例文帳に追加

基板３０上には、相互に平行となるように複数の磁気抵抗素子（ＭＲＥ）３４が形成されるとともに、各々のＭＲＥ３４における抵抗変化を示す電気信号を独立して取出すための配線パターン３５，３６及び端子３７，３８が形成される。 - 特許庁