Mnmとは 意味・読み方・使い方

At least one portion of the metal thin film 35 is Ta and has a tetragonal crystal structure, wherein the space group belongs to P4_2/mnm.例文帳に追加

金属薄膜３５の少なくとも一部がＴａで、正方晶系の結晶構造を有し、かつ、空間群がＰ４_２／ｍｎｍに属する。 - 特許庁

Then, the blood pressure determination means 16 determines the maximum blood pressure value and the minimum blood pressure value from the data Mnm based on the threshold applied to the means 16.例文帳に追加

そして、血圧判定手段１６が与えられたしきい値により動脈反圧データＭｎｍから最高血圧値及び最低血圧値を求める。 - 特許庁

A main component computing means 20 obtains a main component showing the tendency of a change from an arterial pulse wave ingredient data Mnm stored in a memory means 4.例文帳に追加

主成分演算手段２０は記憶手段１４に記憶されている動脈反圧データＭｎｍからその変化の傾向を示す主成分を求める。 - 特許庁

The cutting tool is formed of ultrafine particle cemented carbide in which the mean crystal particle diameter of tungsten carbide as a main component is not more than 0.5 μm and the fracture toughness is not less than 23 MNm-3/2.例文帳に追加

主成分をなす炭化タングステンの平均結晶粒子径が０．５μｍ以下、破壊靱性が２３ＭＮｍ^-3/2以上の超微粒子超硬合金で刃物を形成する。 - 特許庁

The magnetoresistive element is constituted by using the ferromagnetic material which is MnM (M is silicon, germanium, or tin or a combination of ≥2 kinds of them) whose crystal structure has a sphalerite type.例文帳に追加

結晶構造が閃亜鉛鉱型を有するＭｎＭ（Ｍはシリコン，ゲルマニウム，および錫の１種あるいは２種以上の組み合わせ）である強磁性材料を用い、磁気抵抗素子を構成する。 - 特許庁

Then, a stratification means 21 performs a comparison with a pattern of load line previously stored in a memory means 14 base on the shape of a load line of a first main component PC1 obtained by the main component computing means 20 to accomplish the stratification of the arterial pulse wave ingredient data Mnm.例文帳に追加

次に層別手段２１では、主成分演算手段２０で求めた第１主成分ＰＣ１の負荷線の形状に基づいて、予め記憶手段１４に格納されている負荷線のパターンと比較することにより、動脈反圧データＭｎｍの層別を行う。 - 特許庁

The semiconductor storage has, a memory array 100 having memory cells M11-Mnm, a bit line charge and discharge circuit 102, a bit line selection circuit 103, and a load circuit 105 connected between a data line DL connected to the bit line selection circuit 103 and a sense amplifier 104.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、メモリセルＭ１１〜Ｍｎｍを有するメモリセルアレイ１００とビット線充放電回路１０２とビット線選択回路１０３と、ビット線選択回路１０３に接続されたデータ線ＤＬとセンスアンプ１０４との間に接続された負荷回路１０５を備える。 - 特許庁