Mobilitiesとは 意味・読み方・使い方

Such SOFs may possess long-range molecular order (periodic) and consequent exceptional (hole/electron) mobilities.例文帳に追加

このようなＳＯＦは、広い範囲にわたって規則的な（周期的な）分子を有していてもよく、その結果、非常に優れた（正孔／電子）移動性をもっていてもよい。 - 特許庁

To provide a display device having pixel transistors and driving transistors for driving the pixel transistors respectively formed on an identical substrate, adapted to raise mobilities in the active regions of the driving transistors and achieve speed-up thereof.例文帳に追加

画素トランジスタ及びこれを駆動する駆動トランジスタが夫々同じ基板上に形成された表示装置において、駆動トランジスタの活性領域の移動度を高め、その高速化を図る。 - 特許庁

The TFT array having a plurality of TFTs each for driving a plurality of associated current-driven display elements includes at least two TFTs having different carrier mobilities for each of the display elements.例文帳に追加

電流駆動される複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、１つの表示素子に対してキャリア移動度の異なる少なくとも２つのＴＦＴを備える。 - 特許庁

When an OK button 76 is clicked after designation of the mobilities R_f1, R_f2, a load amount for realizing a suitable degree of separation (for example, Rs=1) is calculated relative to columns (S, M, L, etc.) of each size, and displayed on a result display domain 75.例文帳に追加

移動度Ｒ_f1，Ｒ_f2の指定後にＯＫボタン７６をクリックすると、各サイズのカラム（Ｓ，Ｍ，Ｌ，・・・）について、好適な分離度（例えば、Ｒs＝１）を実現するための負荷量が計算されて結果表示領域７５に表示される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device configured such that a microfabricated MOSFET can have an insulating film buried in an element isolation region without forming a void or seam, and mobilities of carriers can be improved, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

微細化したＭＯＳＦＥＴにおいて、ボイドやシームの発生無しに素子分離領域に絶縁膜を埋め込むことができ、キャリアの移動度向上が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Ni Schottky contacts are formed on four kinds of n-GaN wafers whose electron mobilities are different, and their I-V characteristic is measured at room temperature.例文帳に追加

電子移動度の異なる４種類のｎ−ＧａＮウエハにＮｉショットキー接触を形成し、室温でＩ−Ｖ測定行った結果によれば、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以下の試料Ａ，ＢのＩ−Ｖ特性は漏れ電流が大きい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method thereof wherein for n-channel and p-channel MOSFETs, different substrate-structure from each other are so realized by a single substrate as to make possible the nearly equal improvements to each other of their mobilities.例文帳に追加

１つの基板で、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴとｐチャネルＭＯＳＦＥＴに対して、異なる基板構造を実現して同程度の移動度向上を達成することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Input of the mobilities R_f1, R_f2 can be performed also by performing drag movement by a mouse of spot figures 82a, 82b to a position corresponding to a result of the thin-layer chromatography on a figure 81 on a thin layer plate drawn in a spot designated domain 74.例文帳に追加

なお、この移動度Ｒ_f1，Ｒ_f2の入力は、スポット指示領域７４に描画される薄層板の図形８１上で、薄層クロマトグラフィの結果に応じた位置にスポット図形８２ａ，８２ｂをマウスでドラッグ移動することで行うこともできる。 - 特許庁