Mc13とは 意味・読み方・使い方

Sources of adjacent memory cells MC13 and MC18 are clamped to constant potential by second selection transistors TRs4 and TRs5, 0 V is applied to sources of adjacent memory cells MC11 and MC1A by bit line selection transistors TRd0 and TRd5.例文帳に追加

隣接するメモリセルMC13、MC18のソースは、第２の選択トランジスタTRs4、TRs5によって一定電位にクランプされ、隣接するメモリセルMC11、MC1Aのソースは、ビット線選択トランジスタTRd0、TRd5によって0vに印加される。 - 特許庁

A control circuit makes voltage VRESET+N*Vα change based on a position of selection memory cells MC10-MC13 in the memory cell array MA.例文帳に追加

制御回路は、電圧ＶＲＥＳＥＴ＋Ｎ＊ＶαをメモリセルアレイＭＡ内での選択メモリセルＭＣ１０〜ＭＣ１３の位置に基づいて変化させる。 - 特許庁

A current that flows in the resistor R1 in the case of the voltage of IN1 > the voltage of IN2 flows in a resistor R2 through transistors MA4, MC13 and MC14.例文帳に追加

ＩＮ１の電圧＞ＩＮ２の電圧のとき抵抗Ｒ１に流れた電流は，トランジスタＭＡ４，ＭＣ１３，ＭＣ１４を通して抵抗Ｒ２に流れる。 - 特許庁

A sound collection signal control part 13 generates a plurality of sound collection signals Y1 (t), Y2 (t), Y3 (t) to be processed comprising different directivities for achieving an input directional pattern, from sound collection signals X1 (t), X2 (t), X3 (t) of microphones MC11, MC12, MC13 of a sound collection part 12.例文帳に追加

収音信号制御部１３は、収音部１２のマイクロホンＭＣ１１，ＭＣ１２，ＭＣ１３の収音信号Ｘ１（ｔ），Ｘ２（ｔ），Ｘ３（ｔ）から、操作入力された指向性パターンを実現するための異なる指向性からなる複数の加工用収音信号Ｙ１（ｔ），Ｙ２（ｔ），Ｙ３（ｔ）を生成する。 - 特許庁

VOLtage VRESET+N*Vα is applied to selection bit lines BL00-BL03 so as to apply the prescribed potential difference VRESET to selection memory cells MC10-MC13 arranged at cross parts of the selection bit lines BL00-BL03 and selection word lines WL01, and voltage Vss=0V is applied to the selection word line WL01.例文帳に追加

選択ビット線ＢＬ００〜ＢＬ０３及び選択ワード線ＷＬ０１の交差部に配置された選択メモリセルＭＣ１０〜ＭＣ１３に所定の電位差ＶＲＥＳＥＴがかかるよう、選択ビット線ＢＬ００〜ＢＬ０３に電圧ＶＲＥＳＥＴ＋Ｎ＊Ｖαを印加し、選択ワード線ＷＬ０１に電圧Ｖｓｓ＝０Ｖを印加する。 - 特許庁