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n spinの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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n spinとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「n spin」の意味

n spin

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「n spin」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

On the laminate formed in such a manner, a final layer having a film thickness T=λ/(4n) is formed according to a spin coat method, wherein n is refractive index and λ is wavelength of light.例文帳に追加

このように形成した積層上に、スピンコート法により、膜厚T=λ/(4n)(屈折率n、光の波長をλ)の最終層を形成する。 - 特許庁

The period is preferably shorter than the beat length of the optical fiber and the spin amplitude is preferably (nπ/2 ) ((n) is a natural number).例文帳に追加

また、その周期は光ファイバのビート長よりも短いことが好ましく、スピン振幅はnπ/2(nは自然数)が好ましい。 - 特許庁

The spin-down HDD designation means 11 designates an HDDi (i = 1 to N) to be spun down, and upon the output of a spin-up signal to the HDDi, designates the next HDDi to be spun down.例文帳に追加

スピンダウンHDD指定手段11は、スピンダウンするHDDi(i=1〜N)を指定するとともに、HDDiに対してスピンアップ信号が出力されると次のスピンダウンするHDDiを指定する。 - 特許庁

To obtain a high output and a high S/N ratio while the required life is satisfied that takes into consideration an MR element, migration of a spin valve element, or heat generation.例文帳に追加

MR素子やスピンバルブ素子のマイグレーションや発熱を考慮した要求寿命を満足しながら、高出力と高S/N比を得る。 - 特許庁

In a memory cell including six transistors (11, 12, 15, 16, 21, and 22), a transistor 12 and a transistor 16 are n-type spin MOS transistors.例文帳に追加

6トランジスタ(11,12,15,16、21,22)で構成されるメモリセルにおいて、トランジスタ12及びトランジスタ16をn型スピンMOSトランジスタとする。 - 特許庁

In an execution configuration of the device, n threads are executed on m processors and a 'spin-yield' processor.例文帳に追加

本発明の一実施形態では、n個のスレッドがm個のプロセッサおよびl個の「スピン−放棄(spin−yield)」プロセッサ上で実行される。 - 特許庁

例文

For example, the p-n junction body, manufactured by applying and baking LaSrCoO_3 which is p-type oxide on a pellet of n-type manganese oxide by spin coating has the function of the battery action using light.例文帳に追加

例えば、p型酸化物であるLaSrCoO_3を、n型マンガン酸化物のペレット上にスピンコーテングで塗布し、焼き付けて作製したp−n接合体は、光によって電池作用の機能をもつ。 - 特許庁

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「n spin」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

To improve time resolution while space resolution and S/N are prevented from decreasing even though a dynamic imaging based on a GRASE (gradient and spin echo) method is used.例文帳に追加

GRASE法によるダイナミック撮像でありながらも空間分解能やS/Nの低下を防止しつつ時間分解能を高めることができる。 - 特許庁

To improve S/N of an image by reducing the effect of nonuniformity of a static magnetic field and to provide an MRI image suppressing fat signals in the imaging by a high-speed spin echo sequence applying a selective excitation pulse.例文帳に追加

選択的励起パルスを適用した高速スピンエコーシーケンスによるイメージングにおいて、静磁場不均一の影響を低減し、画像のS/Nを向上すること、それにより脂肪信号を抑制した良好なMRI画像を得る。 - 特許庁

A solution including a powdery p-type semiconductor material, a powdery n-type semiconductor material and a nanoparticle material is dissolved in a solvent to be subjected to spin coating in an atmosphere of inert gas.例文帳に追加

粉体のp型半導体材料、粉体のn型半導体材料、ナノ粒子の材料の溶液を溶媒に溶解させ、不活性ガスの雰囲気下でスピンコートする。 - 特許庁

During a pulse sequence by the multi-slice EPI method, into an idle time between a RF (radio frequency) excitation pulse for the n-th slice instrumentation and echo signal collection, a 90° saturation pulse for saturating a spin due to a blood flow in the n-1 slice area where instrumentation is completed, which flows in during the n+1 slice instrumentation, is introduced.例文帳に追加

マルチスライスEPI法によるパルスシーケンス中で、第nスライス計測のためのRF励起パルスとエコー信号収集の間の空き時間中に、第n+1スライス計測時に流入する計測の終了した第n−1スライス領域の血流によるスピンを飽和させる90°飽和パルスを導入した。 - 特許庁

Faults or impurities existing at the region near the surface of a semiconductor can be evaluated with high sensitivity, by conducting current detection electron spin resonance measurement using this p-n junction diode for evaluation.例文帳に追加

この評価用pn接合ダイオ−ドを用いて電流検知電子スピン共鳴測定を行うことによって、半導体表面付近に存在する欠陥や不純物の高感度な評価が可能になる。 - 特許庁

A large number of nano-columns are separated from a growth substrate and dispersed on an Al substrate 5 as an n-type electrode and a sealing member 4 made of a transparent organic metal as a p-type electrode is put thereon by spin coating.例文帳に追加

そして、成長基板から分離して、n型電極となるAl基板5上に多数散布し、その上にp型電極となる透明な有機金属から成る封止部材4をスピンコートで被せる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which is provided with a spin injection type magnetoresistance effect element and can improve the reliability of a barrier layer and output S/N ratio, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

スピン注入型の磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、バリア層の信頼性及び出力のS/N比を向上しうる磁気メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

例文

The method of manufacturing a semiconductor thin film comprises a step of coating a substrate with organic molecules containing both anion atoms an cation atoms of a semiconductor as constituent components by various methods such as spraying, dipping, spin coating and evaporating, and heating to react them, resulting in p-type and n-type semiconductors with a p-n junction formed therebetween.例文帳に追加

本願発明は、半導体のアニオン原子とカチオン原子の双方をその分子構成元素に持つ有機分子をスプレー法、ディップ法、スピンコート法、蒸着法など様々な方法で基板に塗布し、加熱反応させて半導体薄膜を作製する製造方法である。 - 特許庁

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