na Cとは 意味・読み方・使い方

After the completion of a crystal growth step of a group III nitride semiconductor by a Na flux method, when the temperature of a crucible 11 is not less than 100°C, Na is sucked by a recovery apparatus 20 and held in a liquid state in a holding container 22.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の結晶成長工程終了後、坩堝１１の温度が１００℃以上である時に、回収装置２０にてＮａを吸引し、保持容器２２内に液体状態で保持する。 - 特許庁

The cobalt powder contains S in an amount of ≤100 ppm, Na, K and Ca each in an amount of ≤20 ppm, O in an amount of ≤5,000 ppm, and C in an amount of ≤100 ppm.例文帳に追加

Ｓが１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋ、Ｃａがそれぞれ２０ｐｐｍ以下、Ｏが５０００ｐｐｍ以下、Ｃが１００ｐｐｍ以下であるコバルト粉末。 - 特許庁

To provide a method for growing a c-plane substrate of a group III nitride semiconductor in a shorter time than before, when it is grown by the Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体のｃ面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。 - 特許庁

A second aluminum alloy which comprises the elements contained in the first alloy in amounts described above further comprises one or more selected from among Cu, Fe, Mn, Cr, Zr, Ti, Na an C as selective additional elements.例文帳に追加

また、第２のアルミニウム合金は、さらに選択的添加元素としてＣｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎａ、Ｃａのうちから１種以上を含有する。 - 特許庁

T(-23200)C polymorphism in a Na^+-Ca^2+ exchanger gene is used as a factor for estimating the depressive effect due to a calcium antagonist.例文帳に追加

さらに、Ｎａ^＋−Ｃａ^２＋エクスチェンジャー遺伝子におけるＴ（−２３２００）Ｃ多型をカルシウム拮抗薬による降圧効果を予測するためのファクターとして使用する。 - 特許庁

This adsorbent is an isotope selectively adsorbing agent for adsorbing ^12CH_4 selectively out of ^12CH_4 and ^13CH_4 contained in a gaseous raw material and is obtained by heat-treating at the temperature of ≥650°C and ≤800°C Na-A type zeolite produced by substituting at least a part of Na by Ca or Zn.例文帳に追加

原料ガスに含まれる^１２ＣＨ_４と^１３ＣＨ_４のうち^１２ＣＨ_４を選択的に吸着する同位体選択性吸着剤であり、Ｎａの少なくとも一部がＣａ又はＺｎで置換されてなるＮａ−Ａ型ゼオライトを、６５０℃以上８００℃以下の温度で熱処理してなることを特徴とする同位体選択性吸着剤を採用する。 - 特許庁

The material CuFe_1-xNi_xO_2 is stable under the temperature up to 1,060°C within the inert gas and may be expected as a high-temperature p-type thermoelectric material in place of Na_xCoO_2 which has a concern for vaporization of Na under the temperature exceeding 850°C thereof.例文帳に追加

ＣｕＦｅ_１−ｘＮｉ_ｘＯ_２は不活性ガス中で１０６０℃まで安定であり、８５０℃を超える温度でのＮaの蒸発が懸念されるＮａ_ｘＣｏＯ_２に代わる高温型ｐ型熱電材料として期待される。 - 特許庁

The quartz glass has Cu concentration of ≤0.01 ppm at the depth of 5 mm from the exposed surface when exposed to Cu oxide vapor at 1,050°C for four hours under the atmosphere, contains ≤0.2 ppm in total of Li and Na and <0.1 ppm each of Li, Na, K, Mg, Ca and Cu.例文帳に追加

１０５０℃、大気圧下で４時間、酸化銅蒸気に曝露させた時に、曝露表面から５ｍｍの深さにおけるＣｕの濃度が０．０１ｐｐｍ以下であり、ＬｉとＮａの含有量を総量で０．２ｐｐｍ以下、Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｃｕの含有量を各々０．１ｐｐｍ未満の石英ガラス。 - 特許庁