oxygen ionsとは 意味・読み方・使い方

Also, the diffusion of the oxygen ions and their removals from the SBT thin film are markedly suppressed by the electrical coupling of holes with the oxygen ions.例文帳に追加

また、上記正孔が酸素イオンと電気的に結合して、酸素イオンの拡散および上記ＳＢＴからの離脱が著しく抑制される。 - 特許庁

The active oxygen storage substance is composed of a mayenite compound which releases oxygen ions in a reducing atmosphere and takes in oxygen ions in an oxidizing atmosphere and stores active oxygen.例文帳に追加

本発明の活性酸素貯蔵物質は、還元雰囲気下では酸素イオンを放出し、かつ、酸化雰囲気下では酸素イオンを取り込み、活性酸素を貯蔵するマイエナイト型化合物からなることを特徴とする。 - 特許庁

Oxygen ions are easily drawn into the substrate 1 from the cathode electrode 2, more oxygen ions flow to enhance NO purification ratio and current efficiency.例文帳に追加

カソード電極２から酸素イオンが基板１内に引き込まれやすくなり、より多くの酸素イオンが流れるため、ＮＯ浄化率及び電流効率が向上する。 - 特許庁

The oxygen supply layer 3 can change from a low-resistance state to a high-resistance state by giving oxygen ions to the oxygen reception layer 4, and from the high-resistance state to the low-resistance state by receiving oxygen ions from the oxygen reception layer 4.例文帳に追加

酸素供給層３は、酸素受容層４に酸素イオンを供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸素受容層４から酸素イオンを受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。 - 特許庁

When oxygen ions are implanted subsequently, the high concentration oxygen region 10aa is spread entirely over the amorphous region.例文帳に追加

その後、酸素イオンの注入を行なうと、高濃度酸素領域１０aaがアモルファス領域全体に拡大される。 - 特許庁

The negative oxygen ion generation part is provided with a solid conductive layer having conductivity to the negative oxygen ions.例文帳に追加

負酸素イオン発生部は、前記負酸素イオンに対して伝導性を有する固体電解質層を備える。 - 特許庁

In a method of manufacturing an SIMOX wafer including a process of implanting oxygen ions into the silicon wafer and a process of annealing the silicon wafer into which the oxygen ions have been implanted, the amount of implanted oxygen ions is adjusted in accordance with temperature unevenness of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハに酸素イオンを注入する工程と、酸素イオン注入したシリコンウェーハをアニールする工程とを有するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、酸素イオン注入量を、シリコンウェーハの温度むらに応じて調整する。 - 特許庁

The oxygen ions 16b implanted directly into the substrate reaches deep region of substrate, and oxygen ions 16a implanted via the mask pattern are located in the region near the substrate surface.例文帳に追加

直接基板内へ注入する酸素イオン１６ｂは、基板深部に達し、マスク・パターンを介して注入された酸素イオン１６ａは基板表面近傍に位置する。 - 特許庁