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p concentrationとは 意味・読み方・使い方
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「p concentration」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 901件
The P-type second low-concentration diffusion region 9 has a lower P-type impurity concentration than the P-type low-concentration diffusion region 7.例文帳に追加
P型第2低濃度拡散領域9はP型低濃度拡散領域7よりも薄いP型不純物濃度をもつ。 - 特許庁
At such time, the P-containing aqueous solution has a P concentration of 0.001-2 g/L and a temperature in a range of 30-60°C.例文帳に追加
この時、Pを含有する水溶液のP濃度は0.001〜2g/Lであり、温度は30〜60℃の範囲である。 - 特許庁
The first p-type layer contacts the p-side electrode and contains a p-type impurity at a first concentration.例文帳に追加
第1p形層はp側電極に接し第1濃度でp形不純物を含む。 - 特許庁
The p emitter region is composed of a low-concentration p-channel region 103 and a high-concentration p^+ emitter region 100.例文帳に追加
そしてpエミッタ領域を,低濃度のpチャネル領域103と高濃度のp^+エミッタ領域100とで構成した。 - 特許庁
The p-type dopant concentration N_P1 of the first p-type embedded layer 15 is lower than the p-type dopant concentration N_P2 of the second p-type embedded layer 19.例文帳に追加
第1のp型埋込層15のp型ドーパント濃度N_P1は第2のp型埋込層19のp型ドーパントの濃度N_P2より低い。 - 特許庁
Relating to a silicon carbide trench MOSFET, a semiconductor device has both a region of low p-body width concentration and narrow width, and a region of high p-body concentration and wide width.例文帳に追加
炭化珪素トレンチMOSFETにおいて、pボディ幅濃度が低く幅が狭い領域とpボディ濃度が高く幅が広い領域を併せ持つ半導体装置とする。 - 特許庁
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「p concentration」の部分一致の例文検索結果
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The third p-type layer is provided between the first p-type layer and the second p-type layer and contains the p-type impurity at a third concentration lower than the second concentration.例文帳に追加
第3p形層は第1p形層と第2p形層との間に設けられ、第2濃度よりも低い第3濃度でp形不純物を含む。 - 特許庁
METHOD FOR CONTROLLING WASTE LIQUID CONCENTRATION OF TREATING LIQUID CONTAINING P例文帳に追加
Pを含有する処理液の廃液濃度制御方法 - 特許庁
A P-well area 21 of which impurity concentration is lower than those of the first P-well area 55a and the second P-well area 55b is formed between the first P-well area 55a and the second P-well area 55b.例文帳に追加
第1Pウェル領域55aと第2Pウェル領域55bとの間には第1Pウェル領域55aおよび第2Pウェル領域55bよりも不純物濃度が低いP-型ウェル領域21を有する。 - 特許庁
The hydrogen concentration in the Na is decreased by cleanup, and a hydrogen concentration peak P is formed.例文帳に追加
クリンナップによりNaの水素濃度が低下し、水素濃度ピークPを形成する。 - 特許庁
The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.例文帳に追加
また、ダイオード素子領域J2のp型のアノード層50の不純物濃度が、IGBT素子領域J1のp型のボディ層30の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁
In the p-type clad layer 25 or p-type buried region 13, the concentration of the p-type dopant of the second part is lower than the concentration of the p-type dopant of the first part.例文帳に追加
p型クラッド層25及びp型埋め込み領域13の一方において、第2部分のp型ドーパントの濃度が第1部分のp型ドーパントの濃度より低い。 - 特許庁
Furthermore, the p-type dopant concentration of a p-type Al_ZGa_1-ZN layer 21 is prescribed, independently of the p-type dopant concentration N_P19 of a p-type AL_YGA_1-YN layer 19.例文帳に追加
また、p型Al_ZGa_1−ZN層21のp型ドーパント濃度がp型Al_YGa_1−YN層19のp型ドーパント濃度N_P19はと独立して規定される。 - 特許庁
A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加
P型の低濃度アノード領域12は、P型半導体基板2に形成される。 - 特許庁
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