| 意味 | 例文 (337件) |
p-群の英語
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英訳・英語 p-group
「p-群」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 337件
When a public parameter is created, an element P of a group G_1 with an order q is selected, and g=e(P, P) calculated beforehand is added to the public parameter.例文帳に追加
公開パラメータ生成時に、位数qの群G_1の元Pを選択し、予め計算したg=e(P,P)を公開パラメータに加える。 - 特許庁
A variable conversion means 104 generates e=a^αb^β mod p, g=c^αd^β mod p, h=c^γd^δ mod p using prime numbers p and q that specify finite group, original elements a, b, c, and d, and random numbers α, β, γ, and δ.例文帳に追加
変数変換手段104は、有限群を指定する素数p,qと、元の要素a,b,c,dと、乱数α,β,γ,δを用いて、e=a^αb^β mod p,g=c^αd^β mod p,h=c^γd^δ mod pを生成する。 - 特許庁
The nearest point R of the point P (Lab value) is searched from a Lab value group obtained by the interpolation arithmetic operation.例文帳に追加
補間演算により求まるLab値群から点Pの最近点R（Lab値）を探索する。 - 特許庁
G is a rational point group of an elliptic curve, P is an element of G, p is the order of P, Q=xP with respect the element x of a set {1 to p} of secret keys, and (G, p, P, Q) is a public key.例文帳に追加
楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁
the lower the p-value, the more likely it is that the difference between groups was caused by treatment.発音を聞く 例文帳に追加
p値が小さくなるほど、それだけ群間差は治療により生じている可能性が高くなる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
A group of rational points of an elliptic curve is considered as G, P is considered as an origin of G, an order of G is considered as P, a private key_x is considered as Q=xP to elements of a set {1, ..., p} and (G, p, P, Q) is considered as a public key.例文帳に追加
楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁
The raw material precursor is expressed by the formula: Ta(I5-m-n-p)(Brm-p)(Cln-p)(Rp) [(m) is an integer of 0-5; (n) is an integer of 0-4; (p) is an integer of 0-4; R is selected from a group consisting of hydrogen and a lower alkyl).例文帳に追加
原料前駆体は以下の式（Ｉ）で表される： Ｔａ（Ｉ_5-m-n-p）（Ｂｒ_m-p）（Ｃｌ_n-p）（Ｒ_p） （Ｉ） （ｍは０から５までの整数、ｎは０から４までの整数、ｐは０から４までの整数、Ｒは水素と低級アルキルとからなる群より選択される。） - 特許庁
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「p-群」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 337件
The first to P-th memory module groups are operated by corresponding first to P-th chip selection signals.例文帳に追加
第１ないし第Ｐメモリモジュール群は対応される第１ないし第Ｐチップ選択信号によって動作する。 - 特許庁
A frame group of the compression coded image signals includes a single key frame K, a frame P-GOB and a frame P succeeding to the key frame K.例文帳に追加
圧縮符号化画像信号の１フレーム群の中には、単一のキーフレームＫ、並びにこれに後続するフレームP-GOBおよびフレームＰが含まれる。 - 特許庁
Each switch M1-M4 in the first switch group and second switch group is constituted of a P channel MOSFET.例文帳に追加
第１スイッチ群および第２スイッチ群の各スイッチＭ１〜Ｍ４は、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴで構成される。 - 特許庁
To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加
所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁
The objective system includes: a front lens group G1 having a positive refractive power; a prism P, which is a visual field direction converting element; and a rear lens group G2 having a positive refractive power, wherein the front lens group G1, the prism P and the rear lens group G2 are disposed in this order from an object side.例文帳に追加
対物系は、物体側から順に配置された、正の屈折力（パワー）を有する前群レンズ群Ｇ１と、視野方向変換素子であるプリズムＰと、正の屈折力（パワー）を有する後群レンズ群Ｇ２とを具備する。 - 特許庁
In the objective system, the prism P is disposed between the front lens group G1 having a positive refractive power and the rear lens group G2 having a positive refractive power to enable setting longer distance to lenses in front of the prism P.例文帳に追加
対物系は正の屈折力を有する前群レンズ群Ｇ１と正の屈折力を有する後群レンズ群Ｇ２との間にプリズムＰを配置することにより、プリズムＰの前側にあるレンズの隔をより長く設定することができる。 - 特許庁
Each switch (M1-M4) of the first switch group and the second switch group is constituted by a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加
第１スイッチ群および第２スイッチ群の各スイッチ（Ｍ１〜Ｍ４）は、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）で構成される。 - 特許庁
The n-type semiconductor layer group comprising a second group III nitride including at least Ga is formed on the p-type semiconductor layer group after the activated processing of the p-type semiconductor layer group.例文帳に追加
次いで、前記ｐ型半導体層群を活性化処理した後、前記ｐ型半導体層群上において、少なくともＧａを含む第２のＩＩＩ族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁
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