preferential orientationとは 意味・読み方・使い方

When the ETC on-vehicle device 2 receives the location and orientation data, the ETC on-vehicle device 2 inputs the location and orientation data to a navigation system 1, and a navigation ECU 3 (location rating part 6) applies map matching processing to the location and orientation data as preferential high-order data to detect the present location and advancing direction of the self-vehicle.例文帳に追加

ＥＴＣ車載機２は、位置及び方位データを受信すると、これをナビゲーション装置１に入力し、ナビＥＣＵ３（位置評定部６）は、その位置，方位データを優先すべき上位データとしてマップマッチング処理を行い、自車の現在位置及び進行方向を検出する。 - 特許庁

To provide a thin ferroelectric films which is capable of controlling preferential crystal orientation even with relatively thick films of ≥1 μm in film thickness with a simple process.例文帳に追加

簡便なプロセスで、膜厚が１μｍ以上の比較的厚い膜でも優先的な結晶配向を制御可能な強誘電体薄膜を得られるようにする。 - 特許庁

The 60% or more of preferential growth crystal orientation falls in a range within 15° of the angle difference in two directions; the <100> direction and <111> direction of the crystal orientations.例文帳に追加

優先成長結晶方位が、結晶方位の＜１００＞方向と＜１１１＞方向との２方向においてステレオ投影による該２方向に対する角度差が１５°以内の範囲に、６０％以上収まっている。 - 特許庁

In the deposition method of forming a buildup on a single crystal or directionally solidified crystal parent material, metal deposition is performed from an extension in a preferential growth orientation of parent material crystals while forcibly cooling a portion of the parent material somewhat below a processed surface and beforehand imparting a temperature gradient to the parent material so that a maximum temperature gradient is oriented along the preferential growth orientation of the parent material crystals.例文帳に追加

単結晶又は一方向凝固結晶の母材に積層部を形成する溶接方法において、前記母材の施工面より幾らか下部を強制的に冷却し、最大温度勾配が母材結晶の優先成長方向に沿った方向になるようにあらかじめ前記母材に温度勾配を付与しながら、母材結晶の優先成長方向の延長線上から肉盛する。 - 特許庁

By controlling the amount of the Sol.Al to be added to the above range, crystal grain growth and the preferential growth in the crystal orientation disadvantageous to magnetic properties accompanying the same are suppressed, and satisfactory magnetic properties can be obtained.例文帳に追加

Sol.Alの添加量を上記のような範囲とすることにより、結晶粒成長とそれに伴う磁気特性に不利な結晶方位の優先成長が抑制され、良好な磁気特性が得られることになる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor which has high permittivity and high dielectric breakdown voltage and is low in leakage current by preferential orientation a high dielectric thin film, having a perovskite structure of to the (111) plane.例文帳に追加

ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が（１１１）面に優先配向していることにより誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the planar target, it is halfly cut from the central face of the target material, so as to be two targets, and further, each target has a crystal structure where crystal orientation located in the central face of the target material before cutting is preferential in (222).例文帳に追加

平板状のターゲットにおいて、ターゲット材料の中心面から半分に切断し２枚のターゲットとし、またさらに切断前のターゲット材料の中心面に位置する結晶配向が（２２２）優先である結晶組織を備えるターゲットを製造する。 - 特許庁

The production method for the tantalum sputtering target includes forging and recrystallization-annealing a tantalum ingot or a billet obtained by melting and casting, and rolling it to form a crystal structure in which an orientation (222) is preferential toward the central plane of the target from the position of 10% of a target thickness.例文帳に追加

溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造及び再結晶焼鈍した後圧延し、ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を形成するタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁