| 意味 | 例文 (6件) |
peb-1とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「peb-1」の意味 |
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peb-1
| worm | 遺伝子名 | peb-1 |
| 同義語(エイリアス) | T14F9.4a.1; T14F9.4; Pharyngeal Enhancer Binding; CE34372; WP:CE34372; CE07500; T14F9.4a; WP:CE07500; T14F9.4b; T14F9.4a.2 | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:180532 | |
| その他のDBのID | WormBase:WBGene00003968 |
| yeast | 遺伝子名 | PEB1 |
| 同義語(エイリアス) | Peroxisome import protein PAS7; Peroxin-7; YDR142C; Peroxisomal targeting signal 2 receptor; PEX7; YD9302.18C; PAS7; YD2943.01C; PTS2 receptor | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P39108 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:851720 | |
| その他のDBのID | SGD:S000002549 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「peb-1」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6件
A heating temperature of PEB processing is corrected using expression (2) ΔT=1/α×F-1(ΔXt-ΔX1) (steps S7, S8).例文帳に追加
下記式(2)を用いてPEB処理の加熱温度を補正する(ステップS7、S8)。 - 特許庁
The display panel DP 1 laminated with the three panel elements PEb, PEg and PEr.例文帳に追加
三つのパネル素子PEb、PEg、PErが積層された表示パネルDP1。 - 特許庁
A coating and development processing system 1 has two kinds of temperature setting functions for a hot plate of a PEB apparatus.例文帳に追加
塗布現像処理システム1は,PEB装置の熱板に対する2種類の温度設定機能を有する。 - 特許庁
A semiconductor substrate 1 which has finished an exposure process is heated to a temperature WT1 lower than one at which the photo resist 3 is hardened by means of a heater plate 7 arranged inside a PEB chamber 5, and is then left as it is for a time period of ta.例文帳に追加
露光工程を終了した半導体基板1をPEB室5に配置されたヒータプレート7により、フォトレジスト3が硬化する温度よりも低い温度WT1に加熱し、ta時間放置する。 - 特許庁
There are provided n heating units (PEB), e.g., five, and exposed wafers that are carried in these are transfered by the first transport means after the (n-1)th transport cycle including the one that is executed by the first transport means at that time.例文帳に追加
加熱ユニット(PEB)はn個例えば5個設けられ、ここに搬入された露光後ウエハは、そのときに第1の搬送手段が実行している搬送サイクルを含めて(n−1)サイクル後に第1の搬送手段により搬出される。 - 特許庁
In a baking apparatus 50 for subjecting PAB or PEB treatment to a chemically-amplified resist, the temperatures of a second hotplate 52 and subsequent hotplates are adjusted and held at a predetermined baking temperature, and the temperature of a first hotplate 51 is adjusted and held at a higher temperature than the predetermined baking temperature so that the temperature of the surface of a mask substrate 1 can reach the predetermined baking temperature within 90 seconds.例文帳に追加
化学増幅型レジストをPABまたはPEB処理するベーク処理装置50であって、90秒以内で所定のベーク温度にマスク基板1表面が到達するよう、2段目以降のホットプレート52は所定のベーク温度に調整保持し、1段目のホットプレート51の温度は所定のベーク温度より高い温度に調整保持する。 - 特許庁
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