plasma CVD techniqueとは 意味・読み方・使い方

To provide a technique to make small an apparatus for processing an exhaust gas discharged from a plasma CVD apparatus for forming a silicon thin film used for solar cells.例文帳に追加

太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for forming a low-permittivity film over a substrate, by forming insulating particulates in a vapor phase by plasma CVD using gas containing Si as source gas, and effectively transferring the formed particulates to over the surface of the substrate, while suppressing aggregation.例文帳に追加

ソースガスとしてSi含有ガスを使ってプラズマCVDにより絶縁性微粒子を気相中で形成し、凝集を抑制しながら、形成された微粒子を基板表面まで有効に移送することにより、基板上に低誘電率膜を形成する。 - 特許庁

To form a protective film even on a thin magnetic metal film formed on a magnetic tape, which causes a large ohmic loss, with a plasma CVD technique at a higher film-forming rate without causing a failure in a product.例文帳に追加

磁気テープ上に形成した金属磁性膜が薄くなり抵抗損失が大きくなったとしても、成膜速度を高め、製品不良を招くこと無く、プラズマＣＶＤにより金属磁性膜に保護膜を成膜する。 - 特許庁

The method for forming the zirconia film includes supplying water to a plasma flame when forming the zirconia film on the surface of a substrate with the thermal plasma CVD technique, while using a metal alkoxide solution containing zirconium alkoxide as an essential component, as a raw material.例文帳に追加

ジルコニウムアルコキシドを必須成分として含む金属アルコキシド溶液を原料として、熱プラズマＣＶＤ法により基材表面にジルコニア膜を成膜するに当たり、プラズマフレームに水を供給しながらジルコニア膜を成膜することを特徴とするジルコニア膜の成膜方法。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is characterized by an antireflection film whose refractive index changes in the direction of film thickness, changing the composition ratio of raw material gas on a semiconductor device by the plasma CVD technique.例文帳に追加

本発明は、プラズマＣＶＤ法により、半導体素子上に、原料ガスの組成比を変化させながら、膜厚方向で屈折率が変化する反射防止膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することで、上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a technique, in the case an inorganic protective film is deposited on a member having a surface consisting of an organic matter such as plastics and an iron plate coated with a coating material by using a plasma CVD method, for improving the adhesive properties between the inorganic protective film and the organic matter on the surface of the member.例文帳に追加

プラスチック、塗料を塗布した鉄板等有機物の表面を有する部材上にプラズマＣＶＤ法を用いて無機保護膜を形成する場合に無機保護膜と部材表面の有機物との接着性を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the photoelectric conversion device 100 includes a step of forming a photoelectric converting layer 3 of silicon on a substrate 1 by using a plasma CVD technique using a gas containing a silane gas and a hydrogen gas as a raw material gas under the condition where a flow rate of the hydrogen gas per unit area of the substrate 1 is 80 slm/m^2 or more.例文帳に追加

基板１上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法を用いて、前記基板１の単位面積当たりの前記水素ガス流量８０ｓｌｍ／ｍ^２以上の条件で、シリコン系の光電変換層３を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置１００の製造方法。 - 特許庁