r-alとは 意味・読み方・使い方

The silicon nitride sintered compact comprises silicon nitride within the range of 75-97 mass % titanium nitride particles within the range of 0.2-5 mass % and a grain boundary phase consisting essentially of an Si-R-Al- O-N compound (R is a rare earth element) within the range of 2-20 mass %.例文帳に追加

窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素を75〜97質量％、窒化チタン粒子を0.2〜5質量％、およびＳｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物（Ｒ：希土類元素）を主として含む粒界相を2〜20質量％の範囲で含有する。 - 特許庁

An electrolytic Al plating layer is formed on the surface of an R-T-B rare earth magnet (R is at least a kind of rare earth elements containing Y, and T is Fe or Fe and Co) and an oxidation-resistant layer is formed on the outer layer.例文帳に追加

Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種であり、ＴはＦｅまたはＦｅ及びＣｏである。）の表面に電解Ａｌめっき層とその外層に耐酸化層を有することを特徴とする。 - 特許庁

After depositing and forming a film comprising Al or its alloy whose hydrogen content is ≥50 ppm on a surface of the R-Fe-B based sintered magnet, peening treatment is executed to the deposited and formed film comprising Al or its alloy.例文帳に追加

Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の表面に、水素含有量が５０ｐｐｍ以上のＡｌまたはその合金からなる被膜を蒸着形成した後、蒸着形成されたＡｌまたはその合金からなる被膜に対してピーニング処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The NCC layer 51 contains a nano-conductive channel 51a consisting of RM particles formed in an SiO matrix 51b, wherein R is Co, Fe or Ni, and M is Si, Al or the like.例文帳に追加

ＮＣＣ層５１は、ＳｉＯマトリクス５１ｂ中に形成されたＲＭ粒子（ＲはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭはＳｉ、Ａｌ等の金属）からなるナノ導電チャネル５１ａを含む。 - 特許庁

R=one or two kinds of Lu and Yb, M=one or two kinds of Ga and Al, 0.25≤w≤0.7, 0≤x≤0.05, and 0≤y≤0.24.例文帳に追加

化学式：（Ｂｉ_wＲ_1-wーxＰｂ_x）_3（Ｍ_yＦｅ_1-y）_5Ｏ_12 ただし、 Ｒ＝Ｌｕ、Ｙｂから選ばれる１種または２種 Ｍ＝Ｇａ、Ａｌから選ばれる１種または２種 ０．２５≦ｗ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．０５、 ０≦ｙ≦０．２４ - 特許庁

The wear-resistant member comprising the silicon nitride sintered compact contains, by mass, 75-97% silicon nitride, 0.2-5% titanium nitride particles and 2-20% grain boundary phase mainly containing Si-R-Al-O-N compound (wherein, R is a rare earth element).例文帳に追加

耐摩耗性部材は窒化けい素焼結体から成り、この窒化けい素焼結体は、窒化けい素を７５〜９７質量％、窒化チタン粒子を０．２〜５質量％、およびＳｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物（Ｒ：希土類元素）を主として含む粒界相を２〜２０質量％の範囲で含有する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 10 is constituted by forming a ZnO piezoelectric thin film 2 on an R-surface sapphire substrate 1 by sputtering, etc., and further forming a chirp type inter-digital electrode 3 of an Al film on the ZnO piezoelectric thin film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上に、ＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上に、Ａｌ膜からなるチャープ型のインターデジタル電極３を形成してなるものである。 - 特許庁

The layer A15 consists of oxide containing Zn, Mg and O, and the second electrode layer 16 comprises at least one element R selected from the group consisting of Al, Ga and In, Zn, Mg and O.例文帳に追加

そして、層Ａ１５がＺｎとＭｇとＯとを含む酸化物からなり、第２の電極層１６が、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素ＲとＺｎとＭｇとＯとを含む。 - 特許庁