r-leとは 意味・読み方・使い方

A wafer W whose unevenness state is previously known is coated with resist (r) and etched along a test line (center line) Le of the resist (r).例文帳に追加

予め凹凸の状況がわかっているウェハＷにレジストｒを塗布し、レジストｒのテストライン（中心線）Ｌｅに沿ってエッチングする。 - 特許庁

The exciting light Le is irradiated to the microchip 10, and the biosample R is supplied, before the fluorescence intensity Ur0 from the microchip 11 itself is attenuated sufficiently, and fluorescence intensity generated Ur is detected from the irradiation start of the excitation light Le, until the supplying of the biosample R.例文帳に追加

マイクロチップ１０に励起光Ｌｅを照射すると共に、マイクロチップ１１自体からの蛍光強度Ｕｒ０が十分に減衰する前に、生体試料Ｒを供給し、発生する蛍光強度Ｕｒを励起光Ｌｅの照射開始から生体試料Ｒが供給された後まで検出する。 - 特許庁

The resist (r) is removed from the wafer W, the unevenness of the wafer W is measured along a crossing line Lm crossing the test line Le at right angles by using a probe type shape measuring instrument S, and the etching profile of a lot is derived by calculation.例文帳に追加

ウェハＷからレジストｒを除去し、触針式形状測定器Ｓを使用して、テストラインＬｅと直交する横断ラインＬｍに沿ってウェハＷの凹凸を測定し、計算によりロットのエッチングプロファイルを導き出す。 - 特許庁

The fluorescence Lk emitted from the sampling fluid R irradiated with the exciting light Le while being electrically migrated in the micro flow path 12, and positioned in the irradiation range So, is imaged at a pinhole Ho, and the fluorescence passed through the pinhole Ho is detected by a detecting means 238.例文帳に追加

マイクロ流路１２中を電気泳動せしめられつつ励起光Ｌｅの照射を受けた、上記照射範囲Ｓｏに位置する試料流体Ｒから発せられた蛍光Ｌｋの像をピンホールＨｏに結像させ、ピンホールＨｏを通った蛍光を検出手段２３８で検出する。 - 特許庁

The fluorescence intensity Ur0 of fluorescence Lk0 generated from the microchip 11 itself being equivalent to a microchip 10, to which the fluorescence-labeled biosample R is supplied is detected from irradiation start of exciting light Le, until sufficient attenuation of the fluorescence intensity Ur0, and the change with the time passage of the fluorescence intensity Ur0 is stored.例文帳に追加

蛍光標識された生体試料Ｒが供給されたマイクロチップ１０と同等のマイクロチップ１１自体から発生する蛍光Ｌｋ０の蛍光強度Ｕｒ０を励起光Ｌｅの照射開始から蛍光強度Ｕｒ０が十分に減衰するまで検出し、蛍光強度Ｕｒ０の経時変化を記憶する。 - 特許庁