reaction sputteringとは 意味・読み方・使い方

A sputtering chamber in a vacuum chamber 11 is provided with: a plurality of targets 31a to 31d arranged in parallel at prescribed intervals; sputtering power sources E1, E2 making the application of electric power to each target possible; and gas introduction means 6a, 6b making the introduction of a sputtering gas and a reaction gas to the sputtering chamber possible.例文帳に追加

真空チャンバ１１内のスパッタ室に、所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット３１ａ乃至３１ｄと、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源Ｅ１、Ｅ２と、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段６ａ、６ｂとを設ける。 - 特許庁

To provide a film-forming method which causes an adequate nitriding reaction, is suitable for producing a nitride thin film, and forms a film at a high sputtering yield and at a high film-forming speed.例文帳に追加

窒化反応が良好で窒化物薄膜の生成に適し、かつ、スパッタリングイールドが高く成膜速度が高い成膜を行う。 - 特許庁

Ammonium nitrate or ammonium sulfate being the powdery reaction product bonded to a plasma electrode is released mechanically or electrically by sputtering.例文帳に追加

プラズマ電極に付着した粉末状の反応生成物である硝安や硫安を機械的又は電気的にスパッタリングして剥離させる。 - 特許庁

For preventing the intrusion of the reaction gas into the reaction space S2, the side direction of the plasma space S1 is covered with a side face partition board 16, and moreover, for making a trace amount of reaction gas nevertheless intruding into the plasma space S1 inert, gaseous hydrogen is added to the sputtering gas.例文帳に追加

反応空間Ｓ_2 に反応ガスが侵入するのを防ぐためにプラズマ空間Ｓ_1 の側方を側面仕切板１６によって覆うとともに、それでもプラズマ空間Ｓ_1に侵入する微量な反応ガスを不活性化するために、スパッタガスに水素ガスを添加する。 - 特許庁

For this purpose, during a sputtering process carried out in a vacuum chamber (18), reaction products (14) are incorporated at least virtually exclusively in the transition layer (12) on the substrate.例文帳に追加

真空チャンバ（１８）内でのスパッタリングプロセス中に、反応生成物（１４）は、少なくとも事実上独占的に遷移層（１２）内に組み込まれる。 - 特許庁

A thin film is deposited by sputtering by spatially separating film deposition process zones 20 and 40 and a reaction process zone 60 from each other in a vacuum tank 11.例文帳に追加

真空槽１１内に成膜プロセスゾーン２０，４０と反応プロセスゾーン６０とを互いに空間的に分離させてスパッタにより薄膜を形成させる。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering apparatus in which the inside of a vacuum chamber 1 where a substrate S to be processed and a target 6 confronted with the substrate S are arranged includes a means feeding a sputtering gas and a reaction gas, the reactive sputtering apparatus forming a homogeneous compound thin film over the whole region of the substrate S even if the substrate to be processed S has a large diameter.例文帳に追加

処理基板Ｓと処理基板Ｓに対向するターゲット６とを配置した真空チャンバー１内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Ｓが大径化しても、処理基板Ｓの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus for uniformizing a film thickness, film quality and film characteristics, by uniformizing the concentration of a reactive gas flowing along the surface of a target and thereby improving the uniformity of the reaction of the reactive gas with the target, when introducing a sputtering gas and the reactive gas into a vacuum chamber so as to form a film by reactive sputtering.例文帳に追加

スパッタガスと反応性ガスを真空室内に導入して反応性スパッタリングによる成膜を行うとき、ターゲットの表面に沿って流れる反応性ガスの濃度を均一にして、反応性ガスとターゲットの反応の均一化を高め、膜厚、膜質、膜特性を均一化できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁