recombination centerとは 意味・読み方・使い方

By an electron supply layer 23, the generation of a recombination current via an electron-capturing center is inhibited for improving a current gain.例文帳に追加

電子供給層２３により、電子捕獲中心を介した再結合電流の発生を抑制して電流利得を改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer wherein concentration of a level which is the recombination center between a base layer and an emitter layer is small and current amplification factor is large.例文帳に追加

ベース層とエミッタ層との間で再結合中心となる準位の濃度が小さく電流増幅率が大きな半導体エピタキシャルウエハを提供すること。 - 特許庁

At this point, since there is no recombination center nor a trap level inside the crystalline photoelectric conversion film 21, the reduction in photoelectric current due to the absorption of the electrons created by photoelectric conversion by a recombination center or a trap level and the occurrence of after-image due to the emission of the carrier from the trap level can be suppressed.例文帳に追加

このとき、結晶性の光電変換膜２１中には再結合中心やトラップ準位が無いため、光電変換により生じた電子が再結合中心やトラップ準位に吸収されることによる光電流の減少や、トラップ準位からのキャリア放出による残像の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To obtain an optical semiconductor device having such a structure as a light spot at the emission edge of a spot size converting part is superposed on the center of an active layer and a recombination layer has no effect on the light spot when the optical semiconductor device has a recombination layer different from the active layer.例文帳に追加

光半導体装置に関し、スポットサイズ変換部の出射端での光スポットを活性層の中心に重ねるとともに、活性層とは異なる再結合層を有する場合に光スポットが再結合層に影響されない構造を得ること。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device having a structure where a light spot at the emission edge of a spot size converting part is superposed on the center of an active layer and a recombination layer has no effect on the light spot when the optical semiconductor device has a recombination layer different from the active layer.例文帳に追加

光半導体装置に関し、スポットサイズ変換部の出射端での光スポットを活性層の中心に重ねるとともに、活性層とは異なる再結合層を有する場合に光スポットが再結合層に影響されない構造を得ること。 - 特許庁

An AlGaAsP layer 11 is inserted in a part between an epitaxial layer which is composed of InGaP and turned into an emitter layer 5 and an epitaxial layer which is composed of InGaP and turned into a base layer 6, thereby decreasing concentration of a level that is a recombination center.例文帳に追加

ＩｎＧａＰからなりエミッタ層５となるエピタキシャル層とベース層６となるエピタキシャル層との間に、ＡｌＧａＡｓＰ層１１を挿入することで再結合中心となる準位の濃度が低下する。 - 特許庁

A concentration of a recombination center formed of the transition metal is measured over the whole heat-treated reference sample to specify, based on a measured value therein, an area V, the area Pv, the area Pi and an area I in the reference sample.例文帳に追加

熱処理された参照用サンプル全体における遷移金属の形成する再結合中心の濃度を測定して、この測定値から参照用サンプルにおける領域［Ｖ］、領域［Ｐｖ］、領域［Ｐｉ］及び領域［Ｉ］を規定する。 - 特許庁

To provide a BMD density evaluation method of a silicon wafer, in which BMD density is calculated, based on a correlational relationship between a recombination center density, other than Fe and the BMD density, thereby accurately evaluating the BMD density using a simple method.例文帳に追加

Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づきＢＭＤ密度を算出することにより、簡便な方法で正確にＢＭＤ密度を評価できるシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法を提供する。 - 特許庁