regrownとは 意味・読み方・使い方

Thereby, the plant body can efficiently be regrown from the callus of the Peronema canescens Jack.例文帳に追加

従って、このような培養法を採用することにより、ヌルデモドキのカルスから効率よく植物体を再生することが可能となる。 - 特許庁

According to the present invention, the strained Si layer has the same crystal orientation as either of a regrown semiconductor layer or the second semiconductor layer.例文帳に追加

本発明によれば、歪みＳｉ層は、再成長半導体層または第２の半導体層のいずれかと同じ結晶方位を有する。 - 特許庁

To improve the mesa covering properties of a semiconductor layer regrown on a mesa, without an addition of any procedure.例文帳に追加

メサ上に再成長される半導体層によるメサの被覆性を、工程の追加を行わずに向上させることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method of growing a GaN thick film of high quality suitable for use as a regrown substrate for a homoepitaxial element layer.例文帳に追加

ホモエピタキシャル素子層の再成長基板として使用するのに好適な高品質のＧａＮ厚膜を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which the occurrence of cracks and the deterioration of crystallinity in a regrown layer after treatment, such as the etching, are prevented.例文帳に追加

エッチング等の加工後の再成長層におけるクラックの発生および結晶性の劣化が防止された半導体素子を提供することである。 - 特許庁

A channel layer 107 is doped with a first conductivity type impurity, and the regrown semiconductor layer 112 is doped with a second conductivity type impurity.例文帳に追加

チャネル層１０７は第１の導電型の不純物を含有し、再成長半導体層１１２は第２の導電型の不純物を含有している。 - 特許庁

An n^--GaN layer 11 is regrown on the upper surface of the n^--GaN layer 11 and the upper surface of the p-GaN layer 13 by an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ^- −ＧａＮ層１１の上面、および、ｐ−ＧａＮ層１３の上面に、ｎ^- −ＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法により再成長させる。 - 特許庁

On a semiconductor layer 109 wherein a recess created in a cap layer 111 is exposed on the surface, a regrown semiconductor layer 112 is formed by regrowing.例文帳に追加

キャップ層１１１に形成されたリセスの表面に露出した半導体層１０９上において、再成長により再成長半導体層１１２を形成する。 - 特許庁