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region growing methodの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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region growing methodとは 意味・読み方・使い方

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日英・英日専門用語辞書での「region growing method」の意味

region growing method


「region growing method」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 44



例文

DOUBLE CORE SPOT SIZE CONVERTER USING SELECTION REGION GROWING METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

選択領域成長法を用いた2重コアスポットサイズ変換器及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING ACTIVE REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING MOLECULAR BEAM EPITAXY例文帳に追加

分子線エピタキシーを用いて半導体デバイス内に活性領域を成長させる方法 - 特許庁

To provide a medical image displaying apparatus which is capable of setting one region accurately by a region growing method regardless of an image with an indistinct region boundary.例文帳に追加

領域境界が不明瞭な画像であっても、領域拡張法により一つの領域を的確に設定可能な医用画像表示装置を提供する - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal which is capable of growing a silicon single crystal which contains a region wherein dislocation clusters are produced and is reduced in the density of the LPD (light point defect) having a size of 0.09 μm or more.例文帳に追加

転位クラスター発生領域を含み、0.09μm以上のLPD密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element processing method prevented from growing in size due to the size of an optical effective region of an optical element to be processed.例文帳に追加

加工対象となる光学素子の光学有効領域の大きさのために加工装置全体が大型化するのを防ぐ。 - 特許庁

The method of manufacturing the continuous wave semiconductor laser diode of the N (Al, Ga, In) material system comprises a step of continuously growing a primary cladding region 4, a primary light guide region 5, an active region 6, a secondary light guide region 7 and a secondary cladding region 8.例文帳に追加

(Al、Ga、In)N材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法は、第1のクラッド領域(4)、第1の光ガイド領域(5)、活性領域(6)、第2の光ガイド領域(7)および第2のクラッド領域(8)を連続して成長させるステップを包含する。 - 特許庁

例文

To provide a method for growing a GaN crystal small in the size of a reversed-polarity crystalline region and low in its density and to provide a GaN crystal substrate.例文帳に追加

極性反転結晶領域の大きさが小さくまたその密度が低いGaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板を提供する。 - 特許庁

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「region growing method」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 44



例文

One out of two points specified by an operator on the medical image is extended by a region growing method, and a path passing two points is determined automatically.例文帳に追加

操作者が医用画像上で指定した2点のうちの一方の点を領域拡張法により拡張し、2点を通る経路を自動的に決定する。 - 特許庁

The method for manufacturing a micro-nano structure comprises growing and forming projections made of copper oxide and having a square cross section in a non-irradiation region with high energy beams.例文帳に追加

及び、高エネルギービームの非照射領域に、銅酸化物からなる横断面角形の突起を、成長、形成させるマイクロ・ナノ突起構造体の製造方法。 - 特許庁

By this method, a Si layer 3 is formed by aligning and growing Si on a LiNbO3 substrate 1 having an optical waveguide 2 formed, and the surface of the layer in the region except for the etching region is oxidized to form a SiI2 film 5.例文帳に追加

光導波路2を形成したLiNbO_3 基板1上にSiを配向成長させてSi層3を形成し、エッチング領域以外の表面を酸化してSiO_2 膜5を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device formed in a plurality of device regions on a substrate, comprising semiconductor layers, comprises a groove forming step for forming a groove on the substrate at the circumference of the device region, and a semiconductor growing step for growing a semiconductor layer in the device region.例文帳に追加

基板上の複数の半導体層からなるデバイス領域に形成される半導体装置の製造方法であって、デバイス領域の周囲の基板上に溝を形成する溝形成ステップと、デバイス領域に半導体層を成長させる半導体成長ステップとを有する。 - 特許庁

To provide a CVD apparatus which prevents a source gas supplied to a growing region from intruding into a preheating region, and can form a superconductive thin film having a homogeneous and stable composition, and to provide a method for forming the superconductive thin film.例文帳に追加

成長領域に供給された原料ガスが予熱領域へ侵入するのを防ぎ、均質で安定した組成の超電導薄膜を成膜可能なCVD装置、及びその成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which a single crystal of a defect-free region where OSF and grown-in defects are not included over the whole region in the radial direction is grown stably in a high yield.例文帳に追加

径方向全域にわたりOSFおよびgrown−in欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor crystal includes a step (S10) of preparing a substrate made of a nitride semiconductor having a surface including a region to be used and a step (S20) of growing a nitride semiconductor crystal on the substrate surface by a hydride vapor phase growth method.例文帳に追加

窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程(S10)と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程(S20)とを備えている。 - 特許庁

例文

The method is one using the LEC method, wherein the lowest surface of the liquid phase as a raw material melt 4 is situated below the region of the heat generation part of a resistance heater 5 in the initial stage of growing a compound semiconductor single crystal 9 by pulling.例文帳に追加

化合物半導体単結晶9を引き上げ育成する初期段階で、原料融液4である液相の最下面の位置を、抵抗加熱ヒータ5の発熱部の領域から下に外す。 - 特許庁

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