| 意味 | 例文 (11件) |
sog-7とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「sog-7」の意味 |
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sog-7
| worm | 遺伝子名 | sog-7 |
| 同義語（エイリアス） | ||
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | --- | |
| その他のDBのID | WormBase:WBGene00004940 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「sog-7」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
When SOG 8 is applied on the oxide film 7 by using centrifugal force, remaining SOG 8 collects in the recess part 7X, and SOG 8 is applied on the oxide film 7 on the fuse wiring 3 in uniform thickness.例文帳に追加
酸化膜７上に遠心力を利用してＳＯＧ８を塗布すると、余剰分のＳＯＧ８が凹部７Ｘに溜まり、ヒューズ配線３上の酸化膜７に均一な厚さでＳＯＧ８が塗布される。 - 特許庁
The lower wiring 4 and the conductive plug 6 are buried by an organic SOG film 7, after that, the surface of the conductive plug 6 is exposed, and second wiring 8 is formed on the organic SOG film 7.例文帳に追加
下層配線４及び導電プラグ６を有機ＳＯＧ膜７で埋め込み、その後、導電プラグ６表面を露出させ、有機ＳＯＧ膜７上に第２配線８を形成する。 - 特許庁
The organic SOG film 7 has a portion located above the upper surfaces of the lower layer wirings 11, 12.例文帳に追加
有機ＳＯＧ膜７は、下層配線１１,１２の夫々の上面の上方に位置する部分を有している。 - 特許庁
Furthermore, a thermally polymerized hydrocarbon film 7 is formed on the modified SOG film mask 5, and a trench 8 communicating with the contact hole 6 is cut in the hydrocarbon film 7.例文帳に追加
更に、改質ＳＯＧマスク５の上に熱重合性炭化水素膜７が形成され、この炭化水素膜７には、コンタクトホール６に通じるトレンチ８が形成されている。 - 特許庁
The SOG layer 8 allows a part formed on the wiring 3 in the SiOC film 7 to be exposed and has a surface flush with that of the exposed SiOC film 7.例文帳に追加
ＳＯＧ層８は、ＳｉＯＣ膜７における配線３上に形成された部分を露出させ、その露出したＳｉＯＣ膜７の表面と面一をなす表面を有している。 - 特許庁
This semiconductor device includes: lower-layer wires 3 formed on a semiconductor substrate 1; an inorganic SOG film 5a formed on the lower-layer wires 3 and between the lower-layer wires 3 and exhibiting compression stress by implanting ions of impurities therein; and upper-layer wires connected to the lower-layer wires through contact holes formed on an interlayer insulation film 7 including the inorganic SOG film 5a.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 - 特許庁
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「sog-7」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
The thin film resistor 5 is formed on a thermal oxidation film 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a BPSG/NSG multiplayer film 7, a plasma CVD film 9, an organic SOG film 11, a plasma CDV film 13 and a resist pattern 19 are formed on the entire surface of the semiconductor substrate (A).例文帳に追加
半導体基板１上に形成した熱酸化膜３上に薄膜抵抗体５を形成し、半導体基板１上全面にＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ膜１１、プラズマＣＶＤ膜１３、レジストパターン１９を形成する（Ａ）。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a ground insulating film 4 including on the surface first and second parts 16, 17 each having different height; lower layer wirings 11, 12 formed on the ground insulating film 4; and a first insulating film 6, an organic SOG film 7, and a second insulating film 8 formed sequentially on the lower layer wirings 11, 12, and the ground insulating film 4.例文帳に追加
表面に高さが異なる第１および第２の部分１６,１７を有する下地絶縁膜４と、下地絶縁膜４に形成された下層配線１１,１２と、下層配線１１,１２および下地絶縁膜４上に順次形成された第１絶縁膜６、有機ＳＯＧ膜７および第２絶縁膜８とを備える。 - 特許庁
The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).例文帳に追加
レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。 - 特許庁
Sections among the fine wiring 2 are filled selectively with the material of a liquid by a slip coating method utilizing a capillary phenomenon by forming a water-repellent film 7 to the wiring and the surface of a substrate before the formation of the inter-wiring insulating films 4 (SOG films) formed by the coating of the material of the liquid.例文帳に追加
液体の材料の塗布によって形成される配線間絶縁膜４（ＳＯＧ膜）形成前に、撥水膜７を配線と基板表面に形成することにより、その後、毛細管現象を利用したスリットコート法を行えば、液体の材料が選択的に微細な配線２間にのみ充填される。 - 特許庁
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