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strain 13とは 意味・読み方・使い方
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「strain 13」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 139件
The representative strain is a Rhodococcus erythropolis M-13 strain (FERM P-19716).例文帳に追加
その代表株はロドコッカス エリスロポリス M-13株(受託番号FERM P-19716)である。 - 特許庁
A strain quantity calculation part 13 calculates the strain quantity according to the optical frequency.例文帳に追加
歪量算出部13は、該光周波数に基づいて歪量を算出する。 - 特許庁
A third strain gage 11 and a fourth strain gage 13 are attached to the output rod 5.例文帳に追加
出力棒5には、第三歪みゲージ11及び第四歪みゲージ13が取り付けられている。 - 特許庁
Strain in a leaf spring 13 is detected by a strain sensor 15 that is stuck to the leaf spring 13, the detected strain signal is amplified by a strain-measuring instrument 16 for converting it to digital data, and the digital strain data are recorded to a data recorder 18 or are displayed at a display section 17.例文帳に追加
板バネ13に固着された歪センサ15により板バネ13の歪を検知し、この検知した歪信号を歪測定器16で増幅してデジタルデータに変換し、当該デジタル歪データをデータレコーダ18に記録したり、表示部17に表示したりする。 - 特許庁
A Bacillus stearothermophilus No.13 strain which is the thermophilic protein-degrading bacterium is separated and identified.例文帳に追加
本発明者は、前記の好熱性タンパク質分解菌であるバチルスステアロサーモフィラスNo.13株を分離、同定した。 - 特許庁
By relaxing the compression strain of the compression-strained semiconductor layer 12, tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13.例文帳に追加
圧縮歪半導体層12の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層13に伸張歪を印加する。 - 特許庁
The strain detector includes a metallic strain body 11, an insulating layer 13 of glass provided on the outer surface side of the strain body 11, at least two strain resisting elements 15 provided on the outer surface of the insulating layer 13, and a cushioning layer 12 provided to be located between the strain body 11 and the insulating layer 13.例文帳に追加
歪検出装置は、金属製の起歪体11と、この起歪体11の外表面側に設けられたガラスからなる絶縁層13と、この絶縁層13の外表面に設けられた少なくとも2つの歪抵抗素子15とを備え、前記起歪体11と絶縁層13との間に位置して緩衝層12が設けられる。 - 特許庁
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「strain 13」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 139件
The container (19) has an arc groove (25) for applying elastic strain to the base (13).例文帳に追加
容器(19)は、基板(13)に弾性ひずみを加える円弧状の溝(25)を含む。 - 特許庁
Thus, great tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13.例文帳に追加
それにより、大きな伸張歪を無歪半導体層13に印加することができる。 - 特許庁
The drive shaft 4 is provided with strain gauges 12, 13 used as torque detection means.例文帳に追加
ドライブシャフト4に、トルク検出手段として用いられる歪みゲージ12,13を取付ける。 - 特許庁
Measurements from a pressure gauge 13 and a strain gauge 14 on the outer circumferential surface of the tubular body 2 are operated by means of a measuring unit 15.例文帳に追加
圧力センサー(13)と前記円筒体(2) の外周面の歪みゲージ(14)とからの測定値を計測器(15)にて演算する。 - 特許庁
This device includes an optical fiber 13, external force is applied to the optical fiber 13, a strain generated thereby is fixed inside the optical fiber 13, the strain is controlled in a group lag time characteristic of light in the optical fiber 13 to keep a size to equalize wavelength dispersion of the optical fiber 13.例文帳に追加
本発明のデバイスは光ファイバを含み、光ファイバに外力が加えられ、それによって生じた歪みが光ファイバ内部に固定され、前記歪みは、光ファイバの光の群遅延時間特性が制御され光ファイバの波長分散が等化される大きさを持つ。 - 特許庁
A strain sensor 11 detects a strain generated in a bolt main body 10 by tightening it to a tightened body, and outputs an electric signal of intensity in response to a level of the strain to a control part 13.例文帳に追加
歪みセンサー11は、被締付体に締め付けられることによりボルト本体10に生じる歪みを感知し、その歪みの大きさに応じた強度の電気信号を制御部13に出力する。 - 特許庁
An asymmetric strain is produced in the surface of the strained quantum well of the semiconductor quantum well layer 13.例文帳に追加
半導体量子井戸層13の歪量子井戸の面内には非対称な歪が発生する。 - 特許庁
A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加
Si−Ge層12の表面には引っ張り歪みSiチャネル層13が形成されている。 - 特許庁
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