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strain relaxationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 歪み緩和; 歪み解放
「strain relaxation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
Since the relaxation of physical and mental strain and the exhibition of the eye fatigue relaxation image are simultaneously executed, the eye fatigue is more effectively relaxed.例文帳に追加
心身の緊張を緩和させることと眼疲労緩和画像を提示することとが同時に行われるので、より効果的に眼疲労が緩和される。 - 特許庁
To fabricate a high speed CMOS device having an SiGe layer subjected to strain relaxation with high efficiency.例文帳に追加
歪緩和されたＳｉＧｅ層を有する高速のＣＭＯＳデバイスを、効率よく製造することができる。 - 特許庁
InAs dot formed by using strain relaxation on a GaAs layer is buried in a GaAs film 4 to a thickness not more than a thickness of dot thickness.例文帳に追加
ＧaＡs層上に歪み緩和を利用して形成したInＡsドットをＧaＡs膜でドットの厚さ以下の厚さまで埋め込む。 - 特許庁
To provide a rubber composition for a sealing material which excels in stress relaxation properties and permanent compressive strain characteristics, and has high sealing performance.例文帳に追加
応力緩和性及び永久圧縮歪み特性に優れ、シール性能の高いシール材用ゴム組成物を提供する。 - 特許庁
Further, relaxation in the inner strain of the article is suppressed by releasing the article from the die immediately after pressing or by increasing the cooling rate.例文帳に追加
さらに、プレス直後に離型させるか、冷却速度をなるべく早くし、成形品の内部ひずみの緩和量を抑える。 - 特許庁
Each test obtains a series of relaxation test data by maintaining a predefined fixed strain of each sample (604).例文帳に追加
それぞれの試験では、各試料の予め定義した一定の歪みを維持することによって、一連のリラクセーション試験データを得る（604）。 - 特許庁
To suppress relaxation of strain of an active layer even when a strained semiconductor element is formed on a fine active layer.例文帳に追加
微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。 - 特許庁
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「strain relaxation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
On a GaAs layer 3, an InAs quantum-dot 4 having the larger lattice constant is formed by utilizing the strain relaxation.例文帳に追加
ＧａＡｓ層３上に、これよりも格子定数の大きいＩｎＡｓ量子ドット４を歪み緩和を利用して形成する。 - 特許庁
To provide a multilayer film structure in which relaxation of strain of a germanium tin mixed crystal layer is promoted and a tensile-strained germanium layer with a larger in-plane tensile strain can be formed.例文帳に追加
ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。 - 特許庁
To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide.例文帳に追加
酸化物のエピタキシャル歪格子膜の成膜方法に関し、酸化物のスパッタ時特有の酸素負イオン照射による膜の損傷という問題と、成膜時に歪が緩和して歪まなくなるという問題を同時に克服する。 - 特許庁
Subsequently, Si is grown on the surface of the lattice relaxation layer 12 through epitaxial growth to form a strain Si layer 14 (S16).例文帳に追加
そして、前記格子緩和層１２の表面に対しＳｉをエピタキシャル成長させることにより、歪Ｓｉ層１４を形成する（Ｓ１６）。 - 特許庁
The silica glass has a strain point T_s, a fictive temperature and a relaxation rate at the fictive temperature, and also has hydroxy group concentration of less than 800 mass ppm.例文帳に追加
歪み点Ｔ_s、仮想温度、および該仮想温度での緩和速度を有し、かつ８００質量ｐｐｍ未満のヒドロキシル基濃度を有するシリカガラスを提供する。 - 特許庁
A first multilayered structure 10 of a strained Si layer 14 and tensile strain SiGe alloy layer 16 constitute on a relaxation SiGe alloy layer 12.例文帳に追加
緩和ＳｉＧｅ合金層１２上に歪みＳｉ層１４及び引っ張り歪みＳｉＧｅ合金層１６の第一多層化構造１０を構成する。 - 特許庁
To provide a wire drive controlling method for simply and correctly correcting strain and relaxation occurring at the time of changing the reciprocative travel of a wire in a wire saw.例文帳に追加
ワイヤソーにおいて、ワイヤの往復走行の切り替え時に発生する緊張と弛緩を簡単かつ正確に補正することができるワイヤ駆動制御方法を提供する。 - 特許庁
The silica glass is then cooled from the target fictive temperature to a temperature below the strain point of the glass at a cooling rate that is greater than the relaxation rate of the glass at the target fictive temperature.例文帳に追加
次いで、シリカガラスを目的の仮想温度から、目的の仮想温度でのガラスの緩和速度よりも速い冷却速度でガラスの歪み点未満の温度まで冷却する。 - 特許庁
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