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step junctionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 階段接合
「step junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 79件
The manufacturing method of a semiconductor device having a super junction structure comprises the step, after forming the super junction structure, of forming an alignment mark for alignment with the super junction structure in the following process step.例文帳に追加
本願発明は、スーパジャンクション構造を有する半導体装置の製造方法において、スーパジャンクション構造と後の工程との位置合わせのためのアライメントマークを、スーパジャンクション構造の形成後に、作製するものである。 - 特許庁
In a junction method between concrete structures, a joint member, which is formed by combining at least two kinds of fiber with different linear expansion coefficients, is provided in a junction concrete (step S1), and the joint member is heated (step S2) so as to apply pre-stress to the junction concrete (step S3).例文帳に追加
コンクリート構造物間を接合する方法であって、線膨張率が異なる少なくとも二種の繊維を複合してなる継手部材を接合部コンクリートに設け（ステップＳ１）、継手部材を加熱することにより（ステップＳ２）、接合部コンクリートにプレストレスを付与するようにする（ステップＳ３）。 - 特許庁
The solder junction portion 12 has a junction present on a surface of a removal region where a part of the wiring portion 16 is removed, and has no junction on a side surface of a step connecting with the removal region.例文帳に追加
はんだ接合部１２は、配線部１６の一部が除去されている除去領域の表面に接合が存在し、除去領域に繋がる段差の側面に接合が存在しない構成とする。 - 特許庁
The manufacturing technology further includes a step for performing anode junction of a second wafer to one side part of the first wafer 300, and a step for performing anode junction of a third wafer to the opposite side part of the first wafer 300.例文帳に追加
さらに、第２ウェハを第１ウェハ３００の一方の側部に陽極接合するステップと、第１ウェハ３００の反対側の側部に第３ウェハを陽極接合するステップと、を有する。 - 特許庁
The buffer layer includes a step part that extends over a buried part of the junction termination extension.例文帳に追加
前記バッファ層は、前記接合終端拡張領域の埋め込み部分上を延びる階段部分を含む。 - 特許庁
In the first step, a silicon oxide film is formed in a wafer having a semiconductor layer constituting the PIN junction part.例文帳に追加
上記ＰＩＮ接合部を構成する半導体層を有するウェハに酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁
The first junction surface 51 is joined to the second junction surface 61 via a sealing member 7, and one part of the sealing member 7 is held in the extension surface 52 and the step portion 62.例文帳に追加
第１接合面５１と第２接合面６２とはシール部材７を介して接合され、シール部材７の一部は、延長面５２と段部６２とに保持される。 - 特許庁
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「step junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 79件
A chip mounting step is performed to perform the eutectic junction of an LED chip 10 to a submount member 30 (Fig.1(a)), and then a submount mounting step is performed to perform the eutectic junction of the submount member 30 to a heat transfer plate 21 (Fig.1(b)).例文帳に追加
ＬＥＤチップ１０をサブマウント部材３０に共晶接合するチップ搭載工程を行い（図１（ａ））、その後、サブマウント部材３０を伝熱板２１に共晶接合するサブマウント搭載工程を行う（図１（ｂ））。 - 特許庁
A junction electrode 127 provided on a step part 129 of the anchor part 124a and a junction electrode 111 provided on a fixed electrode 106 are press-contact with each other and are electrically connected.例文帳に追加
アンカー部１２４ａの段差部１２９に設けた接合電極１２７と固定電極１０６に設けた接合電極１１１は互いに圧接して電気的に接続される。 - 特許庁
A method of switching the magnetization orientation of a ferromagnetic free layer of an out-of-plane magnetic tunnel junction cell comprises a step of passing an AC switching current through the out-of-plane magnetic tunnel junction cell.例文帳に追加
面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法であって、ＡＣスイッチング電流を上記面外磁気トンネル接合セルに通すステップを含む。 - 特許庁
A separate implantation step is done in a zone surrounding the high voltage p++/n- well junction, in order to acquire a p- type implant region adjacent to the junction.例文帳に追加
接合部周辺のｐ^−タイプのインプラント領域を得るために、別の注入ステップが、高耐圧ｐ^＋＋／ｎ^−ウエル接合部を取り囲んでいるゾーンにおいて行われることを特徴とする。 - 特許庁
To improve backward breakdown voltage of a Schottky diode or a pn junction diode without adding an intricate step or processing.例文帳に追加
複雑な工程や処理を追加することなく、ショットキーダイオードやｐｎ接合ダイオードの逆方向耐圧を改善する。 - 特許庁
The entrance end face 1a of the multi-step junction crystal body is formed perpendicular to the incident direction of the input beam.例文帳に追加
この多段接合結晶体の入射端面１ａを入力ビームの入射方向に対して垂直に形成する。 - 特許庁
The production method includes: a step of forming an insulating film equipped with a plurality of openings having a predetermined interval; a step of forming a first electrode on the bottom face and the sidewall of the opening; a step of forming a magnetic tunnel junction layer on the first electrode; and a step of forming a second electrode filled in residual openings on the magnetic tunnel junction layer.例文帳に追加
所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、を含む。 - 特許庁
A step voltage of the SNS-type superconducting junction group 43 is generated between a ground 49 and the left side terminal of output terminals 60.例文帳に追加
接地４９と出力端子６０の左側端子間にＳＮＳ型超伝導接合群４３のステップ電圧が発生する。 - 特許庁
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