sup-10とは 意味・読み方・使い方

On the upper multilayer film reflecting mirror, a protecting film of a high resistance semiconductor layer whose resistivity is not lower than 10^5 Ωcm^2 is mounted directly or via the other compound semiconductor layer.例文帳に追加

そして、抵抗率が１０⁵Ω・ｃｍ²以上の高抵抗半導体層からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 - 特許庁

In the cage type mesoporous carbon, a space group is Fm3m, a lattice constant is maximum 23 nm, a specific surface area is maximum 1.9×10^3 m^2/g and a specific pore volume is maximum 3 cm^3/g.例文帳に追加

ケージ型メソポーラスカーボンは、空間群がＦｍ３ｍであり、格子定数が最大２３ｎｍであり、比表面積が最大１．９×１０^３ｍ^２／ｇであり、比孔容量が最大３ｃｍ^３／ｇであることを特徴とする。 - 特許庁

The wall- mounting member 10 supports the sup-porting member 13 through a pin 12.例文帳に追加

そして、ピン１２を介して壁取付部材１０に支持部材１３を支持させる。 - 特許庁

The protrusion of columnar structure has an aspect ratio of 5 or higher, and the density of the protrusions of columnar structure on the surface of the cleaning layer is 1.0×10^8 pieces/cm^2 or higher.例文帳に追加

本発明のクリーニング部材は、表面に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を有するクリーニング部材であって、該柱状構造の凸部のアスペクト比が５以上であり、該クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度が１．０×１０^８個／ｃｍ^２以上である。 - 特許庁

The Fe group amorphous alloy thin belt with small operating magnetostriction is characterized in that the excitation electric power is ≤1.5 W/Kg, the magnetic flux density B1 during application of a magnetic field of 80 A/m is ≥1.3 T, and the operating magnetostriction λp-p is ≤5.89×10^-6.例文帳に追加

励磁電力ＶＡが１．５Ｗ／Ｋｇ以下であって、かつ、８０Ａ／ｍの磁場を印加したときの磁束密度Ｂ１が１．３Ｔ以上、動作磁歪λp-pが５．８９×１０^−６以下であることを特徴とする動作磁歪が小さなＦｅ基非晶質合金薄帯。 - 特許庁

The inverter device 10 includes a rectifier 3, a voltage regulator 4 for controlling the DC output voltage to a stable predetermined voltage, a reverse-current preventing diode 5, an inverter circuit 6 for converting a DC power to an AC power to link to the system, and a maximum power control circuit 7 for outputting a switching signal SUP for selecting the use/non-use of the regulator.例文帳に追加

インバータ装置１０は、整流器３と、直流出力電圧を安定した一定電圧に制御する電圧調整器４と、逆流防止用のダイオード５と、直流電力を交流電力に変換して系統に連系するインバータ回路６と、電圧調整器の使用／不使用を選択する切替信号ＳＵＰを出力する最大電力制御回路７とにより構成されている。 - 特許庁