sanosとは 意味・読み方・使い方

To provide a gate formation method of a semiconductor device capable of minimizing tunnel oxide film loss, preventing a semiconductor substrate from being damaged, and improving cell characteristics by removing a nitride film in a wet etching process when performing the gate etching of a SANOS structure where a dielectric film is formed by a high-dielectric substance.例文帳に追加

誘電体膜を高誘電物質で形成したＳＡＮＯＳ構造のゲートエッチングの際、窒化膜をウェットエッチング工程で除去することにより、トンネル酸化膜損失を最小化し、半導体基板の損傷を防止してセル特性を向上させることが可能な半導体素子のゲート形成方法の提供。 - 特許庁